高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究 (2006年)

以Ti、Si和石墨粉为原料，以少量的Al为反应助剂，用反应热压（HP）工艺在1450℃和25MPa下2h制得纯度为97%、相对密度为98.45%、粒度为5～10μm的Ti3SiC2多晶块体。其弯曲强度为407MPa、室温电阻率为0.22×10-6Ω?m、维氏硬度为3.97GPa.与Barsoum和Ei_Raghy在1600℃和40MPa下烧结4h获得的样品相比，本样品显示了较低的弯曲强度，基本相同的纯度、电阻率和硬度。