6H-SiCγ辐照的正电子研究 (2008年)

用正电子湮没寿命谱( PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的 n型6H-SiC内的缺陷进行研究。 实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷 Vc。对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发 现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用。这些研究结果可以为n型6H-SiC的生 产及其可能的应用提供有效的参考价值。