针对新型HfO2介质改进的四元件电路模型 (2008年)

针对超薄HfO2栅介质MOS电容，提出改进的四元件小信号等效电路模型，修正了双频C-V法，增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数。结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线，消除了高频时的频率色散现象，而且曲线更加接近理想C-V曲线。通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式。实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度。