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基于铒镱共掺纳米晶的聚合物光波导放大器的增益特性
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通过理论模拟和计算对基于氟钇钠(NaYF
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光波导放大器的增益特性研究
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介绍了光波导放大器的最新发展,分析影响放大器增益的各种因素,主要讨论了放大器的结构和抽运方式对增益的影响。
基于BaLuF5:Yb3+,Er3+纳米晶掺杂的聚合物光波导放大器 (2015年)
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为提高聚合物光波导放大器的增益性能,利用高温法合成了BaLuF5:Yb3+,Er3+纳米晶,并分别对纳米晶的形貌、晶体结构和近红外发射特性进行了表征。测试结果表明,纳米晶平均粒径为13nm,并在1530nm处具有较强的发射,荧光半高宽为50nm。将合成的纳米晶掺杂入SU-8聚合物作为光波导放大器的芯层材料,使用光刻显影等工艺,在表面长有二氧化硅的硅衬底上制备出了聚合物光波导放大器。当980nm波长
基于半导体光放大器中交叉增益调制效应的波长转换啁啾特性的分析
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集成双波导量子阱结构半导体光放大器的增益特性研究.pdf
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纳米光波导传输及其耦合特性分析
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直流偏磁下纳米晶铁芯的高频饱和磁特性
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基于20/400 μm增益光纤的3 kW近单模全光纤放大器及其长时工作特性
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基于半导体光放大器-交叉增益调制波长转换器消光比特性的研究
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建立了基于半导体光放大器-交叉增益调制(SOA-XGM)的波长转换理论模型,利用分段方法对交叉增益调制波长转换器同向和相向两种工作方式下消光比(ER)特性作了详细的研究。结果表明,波长转换器的输出消光比随转换速率增加而减小,而且转换速率越高,减小得越快;随着抽运波长的变化,消光比有一个对应于峰值增益波长的最佳抽运波长;波长向下转换(Δλ<0>0);输出消光比也随着输入消光比的增大而增大。相同情况下
2012 SOI集成光波导的制备及传输特性研究
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纳米晶合金高频饱和特性的微磁学模拟
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