The work mechanism and sub-bandgap-voltage electroluminescence in inverted quantum dot light-emitting diodes
根据提供的文件内容，文章主要探讨了倒置量子点发光二极管（QD-LEDs）的工作机制以及在亚带隙电压下的电致发光现象。以下是详细的知识点总结：
1. 研究背景与目的
文章研究的是一种特殊结构的发光二极管，即倒置量子点发光二极管（QD-LEDs），它的特点是使用ZnO纳米粒子作为电子注入/传输层。研究的主要目的是为了揭示这种QD-LEDs的电致发光（EL）机制，特别是当驱动电压低于其带隙电压时的发光现象。
2. 量子点的材料特性
量子点（QDs）是一种受欢迎的材料，因为它们结合了无机半导体的特性，比如光学稳定性、狭窄的发射线宽和机械灵活性，同时还具有传统无机半导体的功能物理属性，例如溶液加工性和可调带隙。由于这些独特的特征，QDs在许多光电子应用中的使用受到了积极的探索。
3. 研究方法
研究者们在QD发光层与4,4-N,N-二咔唑基联苯（CBP）空穴传输层之间引入了一层双(4,6-二氟苯基吡啶)吡啶酸铱（FIrpic）作为探针层。通过这种方法，研究者能够演示和理解倒置QD-LEDs的EL机制。
4. EL机制的发现
研究者发现，当使用ZnO纳米粒子作为电子注入/传输层时，倒置QD-LEDs的电致发光机制应该归因于电荷传输层直接向量子点注入电荷。这与一般情况不同，后者中的开启电压通常等于或大于其带隙电压（即带隙能量除以电子电荷）。
5. 亚带隙电压下的电致发光现象
研究者成功实现了在亚带隙驱动电压下的QD-LEDs电致发光现象。这种现象与传统器件不同，因为在传统器件中，开启电压通常等于或大于其带隙电压。通过实验，证明了这种亚带隙EL归因于量子点/有机界面的奥格电子辅助能级上转换空穴注入过程。由奥格辅助过程引起的高能量空穴可以在亚带隙应用电压下注入量子点。
6. 研究成果的意义
这一研究成果对于深入理解QD-LEDs中的EL机制具有重要意义，并且对于进一步改善器件性能也至关重要。
7. 实验与分析
实验是在长春光学精密机械与物理研究所的光致发光和应用国家重点实验室进行的，涉及了对QD-LEDs结构和性能的详细分析。研究者通过使用特定的材料和结构优化，成功展示了在亚带隙电压下的EL现象，并分析了其中的物理机制。
该研究为量子点发光二极管在亚带隙电压下的工作原理提供了新的理解，为未来发光器件的设计和优化开辟了新的思路。同时，该研究也对量子点材料在光电器件中的应用进行了深入探索，具有较高的学术价值和实际应用前景。
