电源技术中的基于MOSFET在电源转换领域中的设计与应用

自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET（如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm"Little Foot系列）。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。 　　多年来许多制造商持续推出了许多代功率MOSFET产品。30年多来，基准基本上每年都会更新。至写这篇文章时，100V基准公认为是英飞凌的IPB025N10N3G所保持。与IRF100的4Ω–mm