全息光刻制备808 nm分布反馈半导体激光器的光栅

实验优化设计了808 nm 分布反馈(DFB)半导体激光器的二级布拉格光栅结构，介绍了808 nm DFB 半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在GaAs 衬底片上制备了周期为240 nm 的光栅图形，全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性，腐蚀液中H3PO4、H2O2 和H2O 的体积比为1:1:10 ，腐蚀时间为30 s。光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示，光栅周期为240 nm，占空比为0.25，深度为80 nm，具有完美的表面形貌及良好的连续性和均匀性。