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ZnS厚度对ZnO / ZnS异质结构光催化性能的影响
ZnS厚度对ZnO / ZnS异质结构光催化性能的影响
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ZnS厚度对ZnO / ZnS异质结构光催化性能的影响
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ZnO和SiO2壳厚度对ZnS：Mn2 +纳米线/ ZnO量子点/ SiO2核/壳纳米复合材料的结构和光学性能的影响
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ZnS：Mn2 +纳米线/ ZnO量子点/ SiO2异质结构的制备和光致发光
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基于ZnO@ZnS核壳结构纳米棒阵列的微通道式光催化用微反应器，何中媛，张青红，本文利用湿化学的方法在毛细管微通道内表面上构筑了垂直生长的ZnO 纳米棒阵列，以其为原位模板向微通道中输送硫代乙酰胺(TAA)溶液，
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ZnO / CdS纳米复合材料的化学成像，电子结构和光学性质已通过扫描透射X射线显微镜（STXM），X射线吸收近边缘结构（XANES）和X射线激发光致发光（XEOL）进行了研究光谱学。 STXM和XANES结果证实所制备的产品是ZnO / ...
ZnO纳米棒/ ZnSe纳米片异质结构的简便制备和光催化性能
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通过旋涂法成功地制备了ZnO纳米棒/ ZnSe纳米片的异质结构。 全面研究了不同旋涂时间的样品的结构，光学和光催化性能的演变。 X射线衍射图谱表明，ZnSe峰的相对强度随旋涂时间的增加而逐渐增加，但ZnO峰受到相对抑制，与拉曼光谱结果吻合良好。 扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微照片（TEM）图像进一步证实ZnSe纳米片（NSs）已成功组装在ZnO纳米棒（NRs）的顶表面和棒之间的间隙的上部。
表面改性和SiO2厚度对水溶性ZnS：Mn2 +纳米线/ Fe3O4量子点/ SiO2异质结构光学和超顺磁性能的影响
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有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响 (2013年)
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为优化氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的工艺参数,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜制备出不同有源层厚度的ZnO-TFT器件,探讨了有源层厚度对ZnO-TFT电学性能的影响.实验结果表明:有源层厚度在65nm附近时,ZnO-TFT器件的性能最好;有源层太薄时,ZnO薄膜的结晶性差,薄膜内部存在大量孔洞和缺陷,从而导致ZnO-TFT器件的载流子迁移率较低,开关电流比较小;有源层太厚(大于65nm)时
沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 (2013年)
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以硝酸锌溶液为电解液，采用电化学沉积方法，在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜．使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征，并研究薄膜的光电性能．结果表明，通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构，沉积电位为-0．75、-0．80、-0．85 V时，制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm，禁带宽度分别为3．12、3．27、3．29 eV，
沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响 (2007年)
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采用RF磁控溅射法，在单晶硅衬底上生长出高质量的(002)晶面取向的ZnO薄膜．利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光栅光谱仪等技术研究了沉积温度对 Zn0薄膜的结构、应力状态、表面形貌和发光性能的影响．研究结果表明，在射频功率为100 W时所制备的ZnO薄膜当沉积温度为500℃时能获得最佳的C轴取向和最小半高宽，此时 Zn0薄膜具有较小的压应力和较好的紫外发光性．
Zn0/ZnS核-壳纳米杆的制备及其光学性质 (2009年)
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用溶液法在镀有ZnO缓冲层的硅衬底上制备出定向ZnO纳米杆阵列，然后再通过硫代乙酰胺(TAA)辅助硫化法将氧化锌一维纳米结构转化为ZnO/ZnS的核一壳纳米结构.运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜...
脉冲激光沉积外延生长的单相ZnO1-xSx合金膜的结构和光学性质
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我们报告了对单晶ZnO1-xSx薄膜的结构和光学性质的详细研究，重点是阐明带隙和晶格参数（尤其是晶格常数a）与合金中S含量的相关性。电影。 使用具有变化的O-2分压的ZnS陶瓷靶，通过脉冲激光沉积在c面蓝宝石衬底上外延...
F-掺杂对ZnO荧光粉的光致发光强化 (2011年)
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将ZnS与一定量的氟化物（KF，NH4F）一起煅烧合成出发光性能优良的、具有六方纤锌矿结构的ZnO绿色荧光粉。证明了氟化物的助熔和掺杂双重功能，提出了在较低温度（700℃）下用掺3％KF合成高效绿色荧光粉的基本方法。...
热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究
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报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,氧化锌具有...
沉淀剂对纳米ZnO的制备及光催化脱色甲基橙性能的影响 (2009年)
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利用3种不同沉淀剂制备了纳米ZnO,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见漫反射(DRUV-Vis)、红外(IR)等对粉体进行了表征;并以ZnO作为光催化剂研究其光催化脱色甲基橙的性能。实验结果表明:在其它条件相同的情况下,采用3种沉淀剂所制备的ZnO均为六方晶型,且在采用混合碱为沉淀剂、煅烧温度为500℃的条件下,制备纳米ZnO粉末的平均粒径80.4nm;不同沉淀剂对ZnO制备
ZnS纳米带/ ZnO纳米颗粒异质结构的合成，表征和光学性质
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在这项研究中，我们介绍了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法合成和表征ZnS纳米带/ ZnO纳米颗粒的异质结构。 基于TEM结果，ZnO纳米颗粒在ZnS纳米带的（100）表面上外延生长，并分别沿着[210]和[001]方向与ZnS纳米带共享相同的取向。 所制备的ZnS / ZnO纳米异质结构具有单晶性的重要特征。 在室温下，ZnS纳米带/ ZnO纳米颗粒的异质结构分别显示一种强绿色发射和两种
La3+掺杂对纳米ZnO晶粒度及光催化性能的影响 (2008年)
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以二水合乙酸锌为原料，柠檬酸三铵为改性剂，采用溶胶-凝胶法分别制备了纯纳米ZnO粉体和La3+离子掺杂纳米ZnO粉体。XRD、TEM分析结果表明：所制得的纳米ZnO粒子均为六方晶系红锌矿结构，在热处理温度为550℃时，制得的纯纳米ZnO的晶粒尺寸最小为28.33nm；La3+离子的掺入抑制了纳米ZnO晶粒的生长，当掺入量为0.2%时，晶粒大小减小了7nm左右；La3+离子的掺入提高了纳米ZnO的光
微波水热温度对ZnS纳米晶的结构及其光催化性能的影响 (2015年)
浏览：47
以 Zn(NO3)2・6H2O、硫代乙酰胺(TAA)为主要原料,蒸馏水为溶剂,利用微波水热法成功制备了 ZnS 纳米晶.采用 X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-2600/2600A型紫外-可见光谱仪对产物的物相、形貌及光学性能进行表征,并研究了微波水热温度对ZnS纳米晶的光催化活性的影响.结果表明:反应温度为 1 7 0 ℃时,所制备的ZnS纳米颗粒的尺寸均匀且分散性较好,
晶核层对ZnO纳米棒阵列结构和性能的影响 (2009年)
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采用CBD两步生长法制备ZnO纳米棒阵列，分别选择ZnO粉末，Zn粉以及醋酸锌(Zn(OOCCH3)2?2H2O)低温分解的ZnO纳米颗粒作为晶核层．结果表明：由醋酸锌分解法获得的ZnO 纳米颗粒旋涂层是最有利于取向性好、直径小的ZnO纳米棒阵列生长的晶核层，它不但可以明显减小ZnO纳米棒阵列的平均直径，而且还有效地改善了ZnO纳米棒阵列的密度和取向性．
溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响
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跟踪单个ZnS / ZnO纳米异质结构的界面
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为了实现其在广泛应用中的希望，理解和控制半导体异质结构中的电子结构至关重要。 在这里，我们通过扫描透射X射线显微镜报告单个ZnS纳米带/ ZnO纳米棒异质结构的化学作图和电子结构。 这是首次详细研究横跨ZnS和ZnO纳米组分之间的界面的纳米级光谱学。 在O K边缘和Zn L-3，L-2-边缘的边缘结构附近的纳米X射线吸收表明ZnO锚定在ZnS纳米带的侧面下方。 边缘能量在ZnS / ZnO界面上的
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