准分子激光辐照法改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能

采用不同能量密度、脉冲数的248 nm 准分子激光对表面为p型的GaN 外延片进行辐照，再对样品进行退火处理。对激光辐照前后以及退火前后的样品进行光致发光、阴极射线谱、X 射线光电子谱、霍尔效应、I-V 曲线等表征。实验结果表明：激光辐照和N2气氛下退火相结合可以使GaN 外延片的电学和发光性能均较辐照前有不同程度的提高。将改性后的GaN 外延片封装成发光二极管(LED)器件，研究了其发光性能与激光辐照能量密度和退火气氛的关系。改性后的GaN 基LED 器件的发光强度最高可增加约37%，说明GaN 外延片电学和发光性能的改善将直接影响其封装成LED 器件后的发光性能，这对于提高GaN 基LED 的性能有重要意义。