生长和退火温度对Ge995Sn0.005外延层的应变和表面形态的影响

具有低锡含量（0.5％）的Ge1-xSnx合金通过分子束外延在220°C至500°C的不同温度下直接生长在Si（1 0 0）衬底上。 测量了原位RHEED图案，AFM图像和HR-XRD曲线，以研究Ge0.995Sn0.005合金的表面形态和应变。 发现在合金沉积期间发生的表面粗糙随着生长温度TG的增加而增强。 在合金的低温异质外延生长过程中引入了压缩残余应变。 随着TG的增加，它逐渐释放，而拉伸热应变增加。 结果，如果TG足够高（> 420℃），则获得了拉伸面内应变。 还研究了退火温度TA的影响。 结果表明，在TA≤600°C时，合金的表面形貌和污点仅略有变化。 如果TA进一步增加，则表面粗糙度显着增加并且残留的异质外延应变基本上被释放。