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DAC5311_SC70 封装 2V 至 5.5V、80μA、8 位、10 位和 12 位 低功耗、单通道数模转换器.pdf
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DAC5311_SC70 封装 2V 至 5.5V、80μA、8 位、10 位和 12 位 低功耗、单通道数模转换器,中文数据手册,适合硬件电路设计开发人员使用。
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SPI/
I2C Interface
INP1
INM1
ILED
TX_SUP
LED1
ADC
CLK
SPI
I2C
RESETZ
PROG_OUT1
FIFO
Noise
reduction
filter (x4)
INP2
INM2
LED2 LED3
PD1
PD2
TX1
TX2
TX3
128 kHz
Oscillator
TIA
Offset
DAC
THR_DET_RDY
Timing Engine
RX_SUP
4 MHz
Oscillator
TX_SUP
IO_SUP
ADC_RDY
R
F
C
F
R
F
C
F
1.8 V LDOs
ALDO_1V8, DLDO_1V8
CONTROL1
INP3
INM3
PD3
Threshold
Detection
Decimation
LED4
TX4
I2C_SPI_SEL
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本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SBAS832
AFE4410
ZHCSG89B –MAY 2017–REVISED JULY 2019
适适用用于于可可穿穿戴戴设设备备、、连连续续光光学学心心率率监监测测和和生生物物传传感感且且具具有有 FIFO 功功能能的的
AFE4410 超超小小型型集集成成式式 AFE
1
1 特特性性
1
• 精确、连续的心率监测:
– 高达 100dB 的动态范围可实现精确心率监测
– 用于在可穿戴设备上持续运行的低电流,其典型
值为:
– 对于 LED 为 30µA,对于接收器为 25µA
• 发送器:
– 4 个采用共阳极配置的 LED
– 高达 200mA 的 8 位可编程 LED 电流
– 支持同时点亮两个 LED 的模式
– 可编程 LED 导通时间
– 同时支持 3 个 LED,适用于优化型 SpO
2
测
量、HRM 或多波长 HRM
– 平均电流为 30µA,可满足典型的心率监测情
形:
– 20mA 设置、60µs 脉冲持续时间、
25Hz 采样率
• 接收器:
– 支持 3 路时分多路复用 PD 输入
– 以 24 位二进制补码格式表示 PD 的电流输入
– TIA 输入端的独立直流失调消减 DAC
(范围高达 ±127µA),用于每个 LED 和环境
光相位
– ADC 输出端的数字环境减法
– 跨阻增益:10kΩ 至 2MΩ
– 具有带宽可配的噪声滤波器
– 接收器在约 1µA/Hz 的采样率(例如
25µA/25Hz)下运行
– 硬件断电模式:约 0µA 电流
• 灵活的脉冲排序和时序控制
• 通过外部时钟或者内部振荡器作为参考时钟
• 采样深度为 128 的 FIFO:
– 可针对各阶段编程设定分区
• 可通过引脚来选择 I
2
C、SPI 接口
• 工作温度范围:-20°C 至 +70°C
• 2.6mm × 2.1mm、0.4mm 间距 DSBGA 封装
• 电源:
– Tx:3V 至 5.25V
– Rx:1.8V 至 1.9V(LDO 旁路),
2.0V 至 3.6V(LDO 使能)
– IO:1.7V 至 Rx_SUP
2 应应用用
• 光学心率监测 (HRM)(可穿戴设备和可听设备)
• 心率变异分析 (HRV)
• 血氧饱和度 (SpO
2
) 测量
• 最大耗氧量 (VO
2
Max)
3 说说明明
AFE4410 是一款模拟前端,适用于光学生物传感 应
用,比如心率监测 (HRM)。该器件最多支持四个可切
换发光二极管 (LED) 和三个光电二极管 (PD)。光电二
极管的电流通过跨阻放大器 (TIA) 转换为电压,并由模
数转换器 (ADC) 进行数字化处理。ADC 编码可存储到
深度可编程的 128 采样先入先出块 (FIFO) 中。您可以
使用 I
2
C 接口或串行外设接口 (SPI) 读取 FIFO。该
AFE 还带有 8 位电流控制的完全集成式 LED 驱动器。
该器件具有高动态范围的收发电路,可提供高达
100dB 的动态范围,从而精确地感应心率。该 AFE 通
过以超低功耗 (ULP) 模式(通过使用 ENABLE_ULP
寄存器位进行设置)运行来实现极低的电流电平。
器器件件信信息息
(1)
器器件件型型号号 封封装装 封封装装尺尺寸寸((标标称称值值))
AFE4410 DSBGA (30) 2.60mm × 2.10mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。
简简化化方方框框图图
2
AFE4410
ZHCSG89B –MAY 2017–REVISED JULY 2019
www.ti.com.cn
版权 © 2017–2019, Texas Instruments Incorporated
4 修修订订历历史史记记录录
Changes from Revision A (May 2017) to Revision B Page
• 更改了
机械封装
图像 .............................................................................................................................................................. 5
Changes from Original (May 2017) to Revision A Page
• 已更改 将范围从 ±126µA 更改为 ±127µA............................................................................................................................... 1
3
AFE4410
www.ti.com.cn
ZHCSG89B –MAY 2017 –REVISED JULY 2019
版权 © 2017–2019, Texas Instruments Incorporated
5 器器件件和和文文档档支支持持
5.1 接接收收文文档档更更新新通通知知
要接收文档更新通知,请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的
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进行注册,即可每周接收产
品信息更改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
5.2 社社区区资资源源
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contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of
Use.
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among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help
solve problems with fellow engineers.
Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and
contact information for technical support.
5.3 商商标标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
5.4 静静电电放放电电警警告告
ESD 可能会损坏该集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可
能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可
能会导致器件与其发布的规格不相符。
5.5 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
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