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集成电路制造相关术语.doc
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〕系统
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氨
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:各向异性〔如
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:承受质量标准,在一定采样下,可以
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置信度
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通过质量标准〔不同于可靠性,
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可靠性要求一定时间后的失效率
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:抗反射层〔用于
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等层的光刻〕
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:形貌比〔
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:自搀杂〔
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外延时
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的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又
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回掺到外延层〕
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:基准
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:扩散用〔石英〕舟
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:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方
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形区域。
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的缩写。用计算机控制和监控制造工
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艺的一种综合方式。
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:补偿掺杂。向
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型半导体掺入施主杂质或向
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型掺入受主杂
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的缩写。一种将
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在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
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〕:计算机辅助设计。
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:传导类型,由多数载流子决定。在
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型材料中多数载流子是
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电子,在
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型材料中多数载流子是空穴。
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:孔。在工艺常指孔
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,即连接铝和硅的孔。
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:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表
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:相关性。
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:工艺能力,详见
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:工艺能力指数,详见
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:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
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:损伤。
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:缺陷密度。单位面积的缺陷数。
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:耗尽注入
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。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工
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艺。〔耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。〕
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:耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的
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区域。
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:耗尽宽度。
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〕:焦深。
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:为了到达费用最小化、降低试验错误、以及保
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证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验方案。
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:Ⅰ〕显影设备;Ⅱ〕显影液
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:二氯甲,一种无色,不可燃,不可爆的
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:二氯甲硅烷,一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境
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下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化
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学气氛中。
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:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近
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水平和垂直方向上的局部划片槽区域。
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:Ⅰ〕介质,一种绝缘材料;
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:扩散层
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,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅外表
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的区域形成
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与衬底材料反型的杂质离子层
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:乙硅烷,一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体,燃烧时能产生
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高火焰,暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时,
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乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜
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9@4'
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:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定
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围的硅锭前端的深度。
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:
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,电子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进
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展的自扩散过程。
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:外延层。
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:特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。
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〕:场效应管。包含源、漏、栅、衬四端。
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:平边
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:平带电容
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:平带电压
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:流动系数
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:流速计
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:流量计
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:单位时间流过给定面积的颗粒数
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:禁带
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:四点探针台
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:功能区
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:玻璃态转换温度
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:净化服
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:灰区
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:切线入射干预仪
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:后烘
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:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
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:束电流大于
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的注入方式,用于批量生产
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:高效率空气颗粒过滤器,去
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掉
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的大于
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的颗粒
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:主机
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:热载流子
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:亲水性
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:疏水性
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:杂质
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掺杂
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:感应等离子
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体
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:惰性气体
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:一氧
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:绝缘
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:隔离线
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结
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铝穿刺
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划片槽
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制版
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设备产能
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多数
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载流子
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一成套光刻版
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9
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原料
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矩阵
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平均值
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中间值
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记忆体
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:纳米
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:纳秒
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:氮化物刻蚀
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#"'F$
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:欧姆每平方
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方块
方块
电阻
电阻
""
""
:晶向,一组晶列所指的方向
:晶向,一组晶列所指的方向
)"4
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:交迭区
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,'"'"$.
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:磷,一种有毒的非金属元素
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-'""
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:光刻版,用于光刻的版
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'"" E4
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:反刻
:反刻
6
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:去掉图形区域的版
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9'"" E"4
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:正刻
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!
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:先行批,用以验证该工艺是否符合规格的片子
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淀积,淀积
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的一种工艺
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结
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:麻点,在
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下观察到的吸附在低压外表的水珠
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,-"A"
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:偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语
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:多晶硅
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H
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金属硅化物,解决高阻的复合栅构造
金属硅化物,解决高阻的复合栅构造
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:多晶硅,高浓度掺杂〔
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I-!
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〕的硅,能
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导电。
导电。
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:多态现象,多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶
:多态现象,多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶
的现象
的现象
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探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备,用以连接圆片和检测
探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备,用以连接圆片和检测
设备。
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过程控制
过程控制
。半导体制造过程中,对设备或产品规的控制能力
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