根据提供的文件内容，可以提炼出以下知识点：
1. 电力电子芯片研发背景
我国在电力电子芯片领域取得了重大进展，研发出新型电力电子芯片，这标志着我国在电力半导体器件方面取得重要突破，正逐步追赶并有望超越国际先进水平。电力电子技术第三次革命最具代表性的器件是GBT和FRED器件，它们在电力电子装置和系统中扮演着类似中央处理器（CPU）的角色。
2. 新型电力电子芯片技术
江苏宏微科技有限公司成功自主研发了大功率超快速软恢复外延型二极管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片。这些芯片的主要性能指标达到了国际先进水平，尤其是1200V的IGBT芯片在性能上超过了国际同类产品。
3. 应用领域与市场前景
新型电力电子技术对于改造传统工业、促进高新技术产业发展至关重要，可广泛应用于风力发电系统、太阳能电源、航空航天等多个领域。据估计，到2011年，我国电力电子器件的市场销售收入总额将超过1680亿元，年均增长率达到20.1%。其中，大功率高频新型电力半导体器件IGBT、VDMOS和FRED等器件的年增长速率将达到25%左右。
4. 国内技术突破与产业影响
长期以来，我国在电力电子系统与装置方面对国外产品存在依赖。宏微科技具有自主知识产权的IGBT和FRED产品的产业化生产，不仅打破了这种依赖，降低了系统与装置的生产成本，提升了我国整机产品在国际市场的竞争力。同时，这些技术的应用有助于改造和更新传统工业，减少工业污染，提高电能及其他资源的使用效率。
5. 医学影像技术的创新突破
在医学影像诊断设备领域，我国也取得了重要进展。上海生物医学工程研究中心成功研制出高分辨率头颈部PET成像装置。与传统影像技术不同，该装置能够实现超高分辨率的头颈部PET成像，且该图像可以与病人现有的CT等图像进行自动配准，有助于早期诊断和充分利用现有医疗资源，降低治疗费用。
6. 技术创新与知识产权
高分辨头颈部PET系统及其综合处理软件的研发成功，展示了我国在正电子发射断层扫描仪器领域的技术创新、系统研发、系统集成、图像处理和综合测试等方面形成的自主核心竞争力。该系统已获得国际14项专利，并已逐步进入产业化阶段。
7. 全球技术垄断与我国的突破
在PET成像技术领域，全球只有少数跨国公司能够独立研制和生产PET，形成技术垄断。我国的突破意味着打破了这种垄断，患者使用该技术的费用有望降低。同时，该技术对于满足日益增长的临床需求具有重大意义。
这些知识点详细说明了我国在电力电子芯片和医疗影像技术领域的研发成果、应用前景、市场潜力以及技术创新的重要性。
