根据给定文件的信息，本文将详细介绍飞思卡尔（Freescale）HCS08系列单片机如何利用其内置的FLASH存储器来模拟EEPROM（电可擦可编程只读存储器）。这种方法不仅可以节省外部EEPROM的成本，还能提高系统的集成度和可靠性。接下来，我们将深入探讨实现这一功能的具体步骤和技术要点。
### 一、简介
HCS08系列单片机是飞思卡尔半导体公司推出的一款高性能微控制器产品。该系列单片机基于8位HCS08内核，具有丰富的内置资源和强大的处理能力。其中，FLASH存储器作为程序存储的主要载体，在单片机系统中占据着极其重要的地位。本文将介绍如何利用HCS08系列单片机的FLASH存储器模拟EEPROM的功能，以便在无需外部EEPROM的情况下也能实现数据的非易失性存储。
### 二、FLASH模拟EEPROM的关键技术
#### 1. 块保护寄存器(NVPROT)
为了保护部分程序代码不被意外擦除或改写，可以通过设置块保护寄存器(NVPROT)来实现。NVPROT寄存器用于控制对特定FLASH块的访问权限。例如，若想保护从0xFA00到0xFFFF的代码区域，则需设置NVPROT寄存器中的FPS字段。假设0xF9FF为未保护FLASH区域的最后一个字节的地址，那么NVPROT寄存器的FPS字段应设为0b1111,100。此外，要使块保护功能生效，FPDIS位必须置为0。因此，NVPROT寄存器的值应设为0xF8。
示例代码如下：
```c
const volatile unsigned char NVPROT_INIT @0x0000FFBD = 0Xf8;
```
#### 2. FLASH模块时钟设置
为了确保FLASH编程和擦除操作的正确执行，需要合理设置FLASH模块的时钟频率。通常情况下，建议将FLASH模块时钟设置为150kHz至200kHz之间。此频率范围内的时钟信号可以通过对外部总线时钟进行分频得到。
#### 3. 关闭看门狗功能
在进行FLASH模拟EEPROM的过程中，为了避免因看门狗定时器触发而导致的程序异常中断，应该先关闭看门狗功能。
#### 4. FLASH页擦除与字节编程
在模拟EEPROM功能时，首先要对一页（通常是256字节）进行擦除操作，然后再调用字节编程命令对指定地址写入特定数据。这样的操作方式类似于真实的EEPROM工作原理。
### 三、参考程序实例
下面提供了一段在MC9S08AC16单片机上运行过的参考程序示例，虽然具体的寄存器地址和其他细节可能因不同型号的单片机而异，但基本的编程思路是一致的。
```c
#include <hidef.h> /* for EnableInterrupts macro */
#include "derivative.h" /* include peripheral declarations */
/* NVPROT:FPOPEN=1, FPDIS=1, FPS2=1, FPS1=1, FPS0=1 */
const volatile unsigned char NVPROT_INIT @0x0000FFBD = 0xFF;
#define Page_Erase PGM[21] = 0x40; temp = ((unsigned char (*)(unsigned int))(PGM))
#define Program_Byte PGM[21] = 0x20; temp = ((unsigned char (*)(unsigned int, unsigned char))(PGM))
volatile unsigned char PGM[59] = {
0x87, 0xC6, 0x18, 0x25
};
```
### 四、总结
通过上述介绍，我们可以看到，利用HCS08系列单片机的FLASH存储器来模拟EEPROM是一种经济高效的方法。它不仅能够满足大多数非易失性存储需求，还能够提高系统的整体性能。开发者可以根据自己的需求灵活调整块保护寄存器、FLASH模块时钟等参数，以达到最佳的工作效果。
changchengzhenhei2014-04-11恩最近正在做这方面的工作，学习了
