集成半桥驱动mos功率芯片SND05

集成半桥驱动mos功率芯片SND05在无线充电技术领域扮演着重要角色，主要应用于无线充电功率发生器中，它将半桥驱动技术和mos功率开关集成在一个小型封装中，提供了高效率和高可靠的功率输出。接下来，我们将详细介绍SND05芯片的主要特点和技术参数。 SND05芯片支持宽电源电压范围，从3.6V到20V，可以适应不同的输入电源条件，并且能在这样的电压范围内提供稳定的输出功率，高达15W。这意味着它能够满足多种无线充电设备的功率需求。此外，SND05的工作频率高达500KHz，高频率工作能力使得它能够支持快速无线充电。 SND05内置自举高压PMOS管，这种结构减少了传统自举二极管结构的压降损耗，提高了效率，并且简化了外围电路设计。内置的5VLDO（低压差线性稳压器），可以输出30mA电流，为MCU（微控制器单元）供电，同时提供过充保护功能。此外，该芯片的输入引脚兼容5V和3.3V控制信号，为设计提供了更大的灵活性。 安全保护是SND05设计中的一个重点，包括电源欠压保护和内置过温保护。当电源电压低于预设阈值时，芯片会自动关闭输出，防止因电源电压不稳定而损坏芯片，保证了设备的安全运行。过温保护功能确保当芯片温度超过预设的155℃时，芯片也会自动关闭输出，防止因过热而损坏，待温度降低到安全范围内后芯片重新工作。这为整个无线充电系统提供了一个安全稳定的运行环境。 为了满足无线充电功率发生器的特定需求，SND05集成了自适应死区功能，避免了功率管同时导通导致的损坏情况。芯片在工作时能够动态调整死区时间，确保上管和下管不会同时导通，从而保护芯片。 在封装方面，SND05采用SOP8-PP封装，具有较好的散热性能和较低的封装热阻。封装底部的散热基座可以与PCB板的铺铜区域连接，有效利用PCB散热，保证了芯片在工作时的稳定性和可靠性。 SND05的管脚功能设计合理，易于布板和连接。例如，VCC脚既可以用来给MCU供电，也可以不使用时接上10nF-100nF的电容到GND，以保持电源的稳定性。此外，SW脚耐压达到30V，大大提升了芯片的应用范围和安全性。 SND05的耐压参数是设计中非常重要的部分，VDD脚和SW脚的耐压分别为24V和30V，EN和PWM脚耐压为7V，这些高耐压参数可以保证在各种恶劣的电气环境中稳定工作。 在储存和工作温度方面，SND05能承受-55℃到150℃的存储温度范围，工作环境温度为-40℃到125℃，完全符合工业级应用标准。 SND05是一颗专为无线充电应用设计的集成半桥驱动mos功率芯片，它具有宽电源电压范围、高输出功率、高工作频率、集成保护功能和自适应死区等关键特性，确保无线充电功率发生器在各种应用场景下的稳定和安全工作。同时，芯片的小型SOP8-PP封装和合理的管脚设计，提高了产品设计的灵活性和易用性，使之成为无线充电技术领域中的一个重要组件。