关于室温电阻值的低阻化和增大电阻变化位数 ( 同增大耐
电压有关 ) 的情况在 5O 年代 中期,电阻变化约为 3 ~ 4
位数。到 6O 年代末期,通过添加 Mn , 把性能提高,
电阻变化为 6 ~ 7 位数,已能较好地提供使用。因此 作
为 无触点开关,特别是作为消磁元件的主体,通过提高耐
电压已达到了元件小型化,动作高建 化以及电流值高衰减
化的目的。另外,通过改善陶瓷的微细结构获得了耐焦耳
热冲击 的基 片,以及采用大电流、耐高温电极使 PTC 热
敏电阻向大冲击电流化方向前进了一步 。 其次是开关温
度宽区域化。用钛酸钡时为 12O°C 。目前开关温度达到
300°C 的产品已实 用化。低温区的产品,除开关元件、
发热体之外,主要是用作温度补偿,降低 电阻温度的系
数,在使用温度范围内 ( 一 30°C ~ 8O°C) 采用固定温
度系数。
关于保持稳定性方面,通过陶瓷基片、电极等材料的设计
和端子连接机构,包封,外包 装等设计的进一步改善,改
变 PTC 热敏电阻开发初期的不稳定状况,作为高可靠的
电子产品已确立了其应有的地位。
PTC
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