模拟电子技术基础_第四版_童诗白_课后答案e

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第五章自测题加课后习题答案少有的有自测题的答案撒
2I rbe(Cn+Cu) C1≈214pF 2πF C=C+(1+gmR)Cu a 1602pF (3)求解上限、下限截止频率: R e R∥Rb)≈Fe∥(b+R) ≈175kHz 2πRC, fL ≈14Hz 2m(R、+R1)C (4)在中频段的增益为 201gAn≈45dB 频率特性曲线如解图T52所示。 i al/ 15 20dB/十倍频 20dB/十倍频 l75X10 HZ 5 f/1 270° 解图T5. 三、已知某放大电路的波特图如图T5.3所示,填空: 第五章题解-3 (1)电路的中频电压增益201gAm dB (2)电路的下限频率f≈Hz,上限频率fH≈ kHz (3)电路的电压放大倍数的表达式A= 201g14, /dB 20dB/|倍频 40 40dB什十倍频 24B/倍颊 01010110210310219310°fHz 图T5.3 解:(1)60 10 (2)10 (3) ±10 或 ±100if 10 (1+)(1+j,)1 (1+j)(1+ 10 o)(1+j-n) 说明:该放大电路的中频放大倍数可能为“十”,也可能为 第五章题解-4 习 题 5.1在图P5.1所示电路中,已知晶体管的F.、CP、Cn,R;≈rbc 填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、 ②减小。 R R R us 图P5.1 (1)在空载情况下,下限频率的表达式f 。当R减小时, 几将:当带上负载电阻后,f将_。 (2)在空载情况下,若b-e间等效电容为Cx,则上限频率的表达 式f ;当R为零时,f将 当R减小时,gm将 C将 ft将 解:(1) 2(R+Rb∥t2)C1 (2) 2。∥(+R∥)①;①,①,③。 第五章题解-5 52已知某电路的波特图如图P52所示,试写出A的表达式 201gl, /dB 30 20 0 1010310°f/ 90 l80 图P5.2 解:设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。 32 A A -3.2jf (1+:)(1+j0s) (1+j)(1+ 5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出A的表达式。 201glA el/dB 20dB!倍频 30 dB十倍颗 20 10 1-140dB/千倍频 2.5×10 01010101021031041010°f/Hz 图P5.3 解ε观察波特图可知,中频电压增益为40dB,即中频放大倍数为-100; 下限截止频率为1Hz和10Hz,上限截止频率为250kHz。故电路A的表达式 为 第五章题解-6 100 10 (1+)(1+)(1+j 5×10 或A +10f (+j)(1+j)(1+j 2.5×10 5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问: (1)该电路的耦合方式 201glA. /dB (2)该电路由几级放大电路组成; (3)当f=10Hz时,附加相移为 60 多少?当f=103时,附加相移又约为多 少? 解:(1)因为下限截止频率为0, 所以电路为直接耦合电路; 1010101010Hz (2)因为在高频段幅频特性为 图P5.4 60dB/十倍频,所以电路为三级放大电路 (3)当f=10Hz时,中=-135°:当f=103Hz时,φ≈-270°。 5.5若某电路的幅频特性如图P5.4所示,试写出A.的表达式,并近似估 算该电路的上限频率f 解:A,的表达式和上限频率分别为 ±10 ≈5,2kHz (1+j,4) 10 第五章题解—7 5.6已知某电路电压放大倍数 doif (1+j)(1+ 试求解: (1)A fr!fH-? (2)画出波特图。 解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出An、f、f (1+j.)(+j 100 f =1 fH=10 H (2)波特图如解图P5.5所示。 20g14|/dP 40 20dB/十倍烦 dB/十频 0 010410310°// 45 f/Ilz 90 135 180° 解图P5.6 5.7已知两级共射放大电路的电压放大倍数 第五章题解—8 200·jf 1+j41+j 2.5×10 (1)A. 几=?f=? (2)画出波特图。 解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出Am、f、fH。 (1+j)+j4)(1+ 2.5×10 fL 5Hz fH≈10H (2)波特图如解图P5.7所示。 20) 4l/dI 20dB/十倍频 60 20dB/十倍频 40dB/上倍频 l01021031010310fHz 45 -45 90 180} 解图P5 第五章题解—9 58电路如图P58所示。已知:晶体管的β、 Cμ均相等,所有电容 的容量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流lερ均相等。定性分析 各电路,将结论填入空内。 R,d 5 kg2 Rn 5k(2 100k 500kΩ R巾 R okolO ike lc I kQ 5k92 R 2ks2 (b) R R,d 5k9 R、5kg 100kg2 500kg f R 7kC R∏ kQ 5k92 lkΩ 图P5.8 (1)低频特性最差即下限频率最高的电路是 (2)低频特性最好即下限频率最低的电路是 (3)高频特性最差即上限频率最低的电路是 解:(1)(a) (2)(c) C 59在图P5.8(a)所示电路中,若β=100,rbe=1kg,C1=C2=C 100μF,则下限频率fL≈? 解:由于所有电容容量相同,而Cε所在回路等效电阻最小,所以下限频 率决定于C所在回路的时间常数 R=R∥5b+R。∥RBk+R ≈209 ≈80Hz 2I RO 第五章题解一10

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