资料-ESD原理.pdf

静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）原理是电子工程领域中一个重要的知识点，尤其是在制造、存储和处理电子设备时必须考虑的因素。ESD是由于物体间电子的转移导致电荷不平衡而产生的现象。以下是对ESD原理的详细解释： 1. 静电的产生： - **接触分离带电**：当两个物体接触后又分开时，如果它们的电导率不同，可能会导致电子的转移，使得一个物体带正电，另一个带负电。 - **摩擦带电**：两个物体摩擦过程中，由于接触程度、表面均匀度、压力、磨力和分离速度的不同，可能导致电荷分布不均，从而产生静电。 - **传递带电**：带电物体接触到其他物体时，电荷会传递，如塑料袋与电子部件接触时容易引发静电。 - **剥离带电**：例如标签或塑料膜剥离时，以及轴和皮带分离时，由于摩擦和分离过程，可产生静电。 - **喷射带电**：液体或气体喷射时，喷射粒子与喷嘴间的摩擦可以产生静电。 - **热电子放出**：加热物体时，由于能量增加，外层电子可能更容易脱离原子，形成正电荷，物体呈现负电性。 - **光电子带电**：紫外线照射某些材料表面，可能引起电子反应，使得表面留下正电荷。 2. 静电序列： 不同材料的静电带电量不同，有一种排序称为静电序列，从最上面的材料带正电最多，到最下面的材料带负电最多。例如，空气、人类的手、锡面、动物的毛、玻璃、头发、晴纶、羊毛、毛皮、铝、绸子、纸、棉、木材、铁、铜、银、金、硫磺和PVC（塑料）分别代表从带正电较多到带负电较多的顺序。 3. ESD对电子部件的影响： 静电敏感度（ESD敏感度）是指电子部件能够承受的最大静电放电电压而不受损。不同类型的部件有不同的敏感度，例如： - MOS：30-1800V - MOS FET：100-200V - GA AS FET：100-300V - EPROM：100V - J FET：140-7000V - SAW：150-500V - OP-AMP：190-2500V - C MOS（INPUT PROTECTED）：250-3000V - SCHOTTKY二极管等。 在电子行业中，防止ESD损伤至关重要，因为即使是微小的静电放电也可能对微电子设备造成损坏。因此，操作人员应穿戴防静电装备，工作环境需保持良好的接地状态，并采取适当的防静电措施，如使用防静电袋、防静电工作台等，以保护电子部件不受ESD的影响。