没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
资源推荐
资源详情
资源评论
Application Report
ZHCA530 – April 2013
1
LDO
环路稳定性及其对射频频综相噪的影响
李俊明, 龙云
摘 要
相位噪声是时钟、射频频综最为关注的技术指标之一。影响锁相环相噪的因素有很多,比
如电源、参考源相噪、VCO 自身的相噪、环路滤波器的设置等。其中,电源引入的低频噪
声往往对锁相环的近端相噪有着很大的影响。对于高性能的时钟和射频频综产品,为了获
得极低的相噪性能,往往采用低噪声的 LDO 供电。然而,采用不同的 LDO 给频综供电,
取得的相噪性能往往会有很大差别,同时,LDO 外围电路设计也会影响到频综的相噪性能。
本文首先简要地介绍了 LDO 的噪声来源及环路稳定性对输出噪声的影响;其次,根据调频
理论推导出 VCO 的相位噪声与 LDO 的噪声频谱密度的理论计算关系。在此基础上,为了
验证 LDO 噪声对射频频综输出相噪的影响,分别采用 TPS7A8101 和 TPS74401 LDO 评
估板给 TRF3765 射频频综评估板供电,对比测试这两种情况下的 TRF3765 相噪曲线;同
时,为了验证 LDO 环路稳定性对频综相噪的影响,针对 TPS7A8101 评估板的参考电路做
出部分修改,并对比测试了电路修改前后的 TRF3765 输出相噪。
目录
1 LDO 噪声来源及环路稳定性对输出噪声影响 ......................................................................................... 2
1.1 LDO 噪声来源 ........................................................................................................................... 2
1.2 LDO 噪声抑制方法 .................................................................................................................... 3
1.3 LDO 环路稳定性与输出噪声的关系 ........................................................................................... 4
2 LDO 噪声与 VCO 输出相噪的关系 .................................................................................................... 5
3 采用不同 LDO 进行射频频综供电对比测试 ........................................................................................ 6
3.1 TPS7A8101/TPS74401 频综供电对比测试 ............................................................................... 6
3.2 TPS7A8101 输出电路优化及其对频综相噪的影响 ..................................................................... 8
4 结论 .................................................................................................................................................. 10
5 参考文献 ........................................................................................................................................... 10
图表
图 1 LDO 的 PSRR 与噪声 ..................................................................................................................... 2
图 2 LDO 内部框图(噪声源) ............................................................................................................... 3
图 3 LDO 内部框图(增加噪声抑制电容和前馈电容) ........................................................................... 3
图 4 不同
FF
C
下的噪声频谱密度图 .......................................................................................................... 4
图 5 LDO 小信号模型 ............................................................................................................................. 4
图 6 增加前馈电容后的频率响应波特图 .................................................................................................. 5
图 7 由电源噪声引入的 VCO 相噪恶化 ................................................................................................... 5
图 8 TPS7A8101 与 TPS74401 噪声频谱密度图 .................................................................................... 7
图 9 LDO 频综供电对比测试设置 ........................................................................................................... 7
ZHCA530
2 LDO
环路稳定性及其对射频频综相噪的影响
图 10 采用 TPS7A8101/TPS74401 供电的 TRF3765 相噪曲线 .............................................................. 8
图 11 TPS7A8101 评估板初始原理图 ..................................................................................................... 8
图 12 TPS7A8101 提高环路稳定性后的原理图 ...................................................................................... 9
图 13 TPS7A8101 稳定性改善前后 TRF3765 相噪曲线.......................................................................... 9
表格
表 1 不同 LDO 给频综供电对比测试结果 .............................................................................................. 10
1 LDO 噪声来源及环路稳定性对输出噪声影响
1.1 LDO 噪声来源
LDO 的噪声分为 LDO 内部的噪声和 LDO 外部的噪声。LDO 内部的噪声来自于内部电路的带隙基
准源,放大器以及晶体管。LDO 外部的噪声来自于输入。在 LDO 的手册中,PSRR 是表征 LDO
抑制外部噪声的能力,但 PSRR 高并不代表 LDO 内部噪声小。LDO 的总输出噪声才是表征 LDO
内部噪声抑制的参数,一般在电气特性表里用单位
RMS
V
µ
表示,或者在噪声频谱密度图上表示。
PSRR
Ʃ
Ʃ
DC
External
Noise
Internal
Noise
LDO
DC+
Noise
图 1 LDO 的 PSRR 与噪声
图 2 是 LDO 内部结构框图,
N
V
代表等效噪声源。噪声源包括带隙基准源产生的噪声
()N REF
V
,误
差放大器产生的噪声
()N AMP
V
,FET 产生的噪声
()N FET
V
以及反馈电阻产生的噪声
( 1)NR
V
和
( 2)NR
V
。
在大多数情况下,由于带隙基准源电路是由很多不同的电阻、晶体管和电容组成,它所产生的噪
声会远远大于反馈电阻产生的噪声。而且带隙基准源是误差放大器的输入,它所产生的噪声也会
经由误差放大器放大来控制 FET,所以误差放大器本身以及 FET 所产生的噪声也会比带隙基准源
的噪声要低。可以说,LDO 内部最大的噪声源就是带隙基准源。我们把 LDO 输出噪声
()N OUT
V
表
示为
1
( ) ( ) ()
2
1
N OUT N Other N REF
R
VV V
R
= ++ ×
(1)
()N Other
V
是
()N AMP
V
以及
()N FET
V
的和。由公式 1 可以得出,输出噪声最小值出现在 R1 短接到 FB,
误差放大器的增益近似为 1 的时候。
ZHCA530
LDO
环路稳定性及其对射频频综相噪的影响
3
Error Amp
2
R
1
R
( 1)
NR
V
( 2)NR
V
REF
V
()N REF
V
IN
V
()
N AMP
V
()N FET
V
NFET
OUT
C
OUT
V
+
+
−
−
FB
V
图 2 LDO 内部框图(噪声源)
1.2 LDO 噪声抑制方法
为了抑制带隙基准源产生的噪声,有三种办法。
一是降低误差放大器的带宽,抑制了带隙基准源的高频噪声。但是降低带宽会使 LDO 的动态性能
降低。
二是在带隙基准源和误差放大器之间加低通滤波。高性能的 LDO 都会有一个噪声抑制 NR 管脚,
NR
C
并联在带隙基准源和 GND 之间,起到低通滤波的作用。如图 3 所示。
Error Amp
2
R
1
R
REF
V
IN
V
()N OUT
V
NFET
OUT
C
OUT
V
+
+
−
−
FB
V
FF
C
NR
C
图 3 LDO 内部框图(增加噪声抑制电容和前馈电容)
三是在反馈电阻 R1 上增加前馈电容
FF
C
。在增加了
FF
C
和
NR
C
后,输出噪声可以表示为
1
( ) ( ) ()
2
1
2
1
FF
N OUT N Other RC N REF
R
fC
V V GV
R
π
××
= ++ × ×
(2)
从式 2 可以得出,
FF
C
越大,输出噪声就越小。频率越高,输出噪声越小。
剩余10页未读,继续阅读
资源评论
付浮悠
- 粉丝: 6
- 资源: 1
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- java-leetcode题解之Minimum Cost Tree From Leaf Values.java
- java-leetcode题解之Minimum Cost to Merge Stones.java
- java-leetcode题解之Minimum Cost For Tickets.java
- java-leetcode题解之Minimum ASCII Delete Sum for Two Strings.java
- java-leetcode题解之Merge Intervals.java
- java-leetcode题解之Median of Two Sorted Arrays.java
- java-leetcode题解之Maximum XOR of Two Numbers in an Array.java
- java-leetcode题解之Maximum Subarray Sum with One Deletion.java
- java-leetcode题解之Maximum Score Words Formed by Letters.java
- java-leetcode题解之Maximum Product Subarray.java
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功