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L6562是继L6561之后ST公司生产的一种性能改进的低成本经济型功率因数校正(PFC)控制器,与L6561的引脚相兼容,是以下是L6562的主要性能和应用: 性能: 1. 高精度的电流控制和电压控制,可实现高效率和低谐波。 2. 内置的过压保护和过流保护功能,可保护电源和负载。 3. 可编程的开关频率和占空比,可适应不同的应用需求。 4. 内置的软启动功能,可减少开机时的电流冲击。 5. 内置的电源管理功能,可实现低功耗待机模式。 应用: 1. 电源适配器和充电器。 2. LED照明电源。 3. 工业电源和UPS电源。 4. 太阳能逆变器和风力发电逆变器。 总之,L6562是一款高性能的PFC控制器芯片,可广泛应用于各种电源应用中,具有高效率、低谐波、过压保护、过流保护、可编程的开关频率和占空比等优点。
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L6562
临界导通模式
PFC
控制器
1
特征
■ 采用BCD技术实现
■ PFC预调节器的过渡模式控制
■ 针对交流输入电流的最小温度的专有乘法器设计
■ 非常精确的可调输出过电压保护
■ 超低(≤70μA)启动电流
■ 低 (≤4mA) 静态电流
■ 扩展IC供电电压范围
■ 片上电流检测滤波器
■ 禁用功能
■ 1% (@ Tj = 25 °C) 内部参考电压
■ -600/+800mA具有欠压保护下拉和电压钳位的
推挽门极驱动器
■ DIP-8/SO-8 封装 ECOPACK®
1. 1 应用
■ PFC预调节器:
– 符合IEC61000-3-2标准的开关电源(SMPS),
其功率范围可达300W,并适用于电视、台式电脑
和显示器等设备。
图
2 .
程序框
图
图
1 .
封装
DIP-8
SO-8
表 1. 订单代码
型号
封装
L6562N DIP-8
L6562D SO-8
L6562DTR
Tape & Reel
– 可以用作高端AC-DC适配器/充电器
– 以及入门级服务器和WEB服务器
2 描述
L6562是一款采用过渡模式(TM)运行的电流模式
功率因数校正(PFC)控制器。它与前身L6561在引
脚兼容性上相似,并且在性能上有所提升。
INV
VCC
COMP MULT CS
GD
GND ZCD
1/16
乘法器和THD优
化器
驱动程序
VREF2
禁用
触发器
6
R2
UVLO
7
R1
2.1 V
1.6 V
stop
Starter
8
电压调节器
25 V
2.5V
VCC
Q
5 pF
过电压检测
R
S
INTERNAL
SUPPLY 7V
5
40K
1
+
-
零电流检测
- +
+
-
15 V
-
+
2 3 4
ZHONG
第1页,共16页
L6562
Symbo
表 2. 绝对最大额定
2
说明(续)
这个高线性乘法器包括一个特殊的电路,能够减少交流输入电流的失真,从而实现在广泛的电源电压范围下低总谐波
失真(THD)的运行,甚至在大负载范围内也能如此。
输出电压由电压模式误差放大器和精确的(1% @Tj = 25°C) 内部电压参考控制。通过这种方式,输出电压可以精确地
被控制。
该设备具有极低的功耗(≤
70
μ
A
启动前和
<4 mA
运行中),并且包括一个禁用功能,适用于
IC
远程开关,这使得
符合节能规范(
Blue Angel
、
EnergyStar
、
Energy2000
等)更加容易。
有效的两步骤过压保护(OVP)使得设备能够安全处理在启动时或因负载断开而引起的过电压情况。
推挽式(totem-pole)输出级,能提供最高600mA的源电流和800mA的灌电流(吸收电流能力),适用于大型MOS-
FET或IGBT驱动,结合其他特性,使该设备成为符合EN61000-3-2标准的SMPS(开关电源)的优秀低成本解决方案
,最高功率可达300W。
值
l Pin Parameter Value Unit
VCC
8
IC电源电压 (Icc = 20 mA)
自限制
V
---
1 to 4
模拟输入和输出
-0.3 to 8
V
-50 (source)
10 (sink
IZCD
5
零电流检测器最大电流
)
mA
Ptot
功耗 @Tamb = 50°C (DIP-8)
(SO-8)
1
0.65
W
Tj
结温工作范围
-40 to 150
°C
T
stg
储存温度
-55 to 150
°C
图 3. 引脚连接 (顶视图)
INV
COMP
MULT
CS
Vcc
GD
GND
ZCD
表
3 .
热数据
符号 参数
SO8 Mini-DIP
单位
Rth j-amb
最大热阻,结-环境
150 100 °C/W
2/16
ZHONG
第2页,共16页
L6562
表
4.
引脚说明
N°
Pin
功能
误差放大器的反向输入端。PFC预调节器输出电压的信息通过分压电阻分压后
1
INV
馈入该引脚。
误差放大器的输出。在该引脚和INV(引脚1)之间设置一个补偿网络,以实现电压控制环路的稳
定性和保证高的功率因数和低谐波失真
THD
2 COMP
。
3 MULT
PWM比较器的输入。MOSFET的电流流过取样电阻,在电阻上产生电压降,该电压与内部的正弦
电压形成基准信号,与乘法器进行比较来决定
MOSFET
乘法器的输入端。该引脚通过一个分压电阻分压与整流后的主电压相连接,提供基准正弦电压给
电流环。
4
CS
的关闭。
升压电感去磁侦测输入端。工作在临界导通模式,用负极性信号的后沿来触发
MOSFET
5 ZCD
的导通。
6
GND
该引脚为芯片地。栅极驱动和信号回路的通路都应汇集到该引脚端。
7
GD
栅极驱动输出。“图腾柱”输出能直接驱动
MOSFET
或
IGBT
,对源极峰值推动电流是
600mA
,吸
收电流是800mA。该脚的驱动电压被钳制在12V左右,避免因Vcc电压过高而使驱动电压也升高。
8 Vcc 芯片电源。电压供给IC内部信号与栅极驱动,供电电压被限制在22V以下。
表
5.
电气特性
(Tj = -25 to 125°C, VCC = 12, CO = 1 nF; 除非另有说明)
符号 参数 测试条件
Min.
Typ. Max.
单位
电源电压
VCC
工作范围
开启后
10.3 22
V
VCCon
开启阈值
(1)
11 12
13
V
VCCOff
关闭阈值
(1)
8.7 9.5
10.3 V
Hys
迟滞
2.2 2.8 V
VZ
齐纳电压
ICC
= 20 mA
22 25 28 V
电源电流
Istart-up
启动电流
开启前, VCC =11V
40 70
µA
I
q
静态电流
2.5 3.75 mA
ICC
工作电源电流
3.5 5 mA
I
q
静态电流
2.
开启后
@ 70 kHz
过电压保护期间(静态或动态)or
VZCD =150 mV
2
mA
乘法器输入
IMULT
输入偏置电流
VVFF
= 0 to 4 V -1 µA
VMULT
线性工作范围
0 to 3
V
ΔV
CS
---------------------
Δ
V
MULT
输出最大值。斜率
1.6
VMULT
= 0 to 0.5V
VCOMP
= 上钳电压
5 1.9
V/V
K
Gain(2)
VMULT = 1 V, VCOMP = 4 V
0.5 0.6 0.7 1/V
误差信号放大器
VINV
电压反馈输入
阀值
Tj = 25 °C
2.465 2.5 2.535 V
10.3 V < Vcc < 22 V(1)
2.44 2.56
线路调节
Vcc = 10.3 V to 22V
2 5
mV
IINV
输入偏置电流 VINV
= 0 to 3 V -1 µA
3/16
ZHONG
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