TSMC eFuse Spec

【TSMC eFuse Spec】是台湾半导体制造公司（TSMC）提供的关于其电气熔丝（eFuse）技术的详细规格文档。eFuse是一种非易失性存储器，常用于芯片ID、内存冗余、安全编码、配置设置和功能选择等应用。此规格文档包含了eFuse的最新设计和操作条件，对于理解TSMC 22纳米逻辑超低功耗、超低泄漏工艺中的eFuse技术至关重要。 TSMC的TEF22ULP128X32HD18_PHRM宏单元是由128位乘以32位的一次可编程电气熔丝组成的高密度阵列。这个结构基于1P5M（1层多晶硅，5层金属）的设计，确保在标准CMOS逻辑工艺中实现非易失性存储。宏单元的关键特性包括“P”表示电源开关，“H”表示待机模式，“R”代表冗余，“M”表示边缘读取，其中“128X32”指的是字深度和I/O总线的宽度。 编程条件分为现场编程和测试仪编程两种情况。现场编程时，必须使用双位，且不需要冗余。VQPS电压范围为1.71V到1.98V，VDD为0.8V±10%，温度区间为-40℃到125℃，编程时间为12us±1us。测试仪编程时，如果没有双位，必须使用冗余，其余条件与现场编程相同。 读取条件也非常重要。VQPS电压根据IO过程的不同，可以在0V、浮动状态或1.8V±10%（1.8V IO工艺）或2.5V±10%（2.5V IO工艺）之间，而VDD需保持在0.72V到0.99V之间，温度范围同样为-40℃到125℃。最大累积读取访问时间必须小于2ms，以确保设备的正常运行和数据的可靠性。 需要注意的是，所有的编程和读取条件都可能随着硅片数据的可用性进行调整。用户在使用TSMC eFuse技术时，必须密切关注最新的规格更新，以确保设备的安全性和有效性。 TSMC eFuse Spec为开发者和工程师提供了详尽的电气熔丝设计和操作指南，涵盖了从基本结构到具体操作条件的全方位信息，是深入学习和应用eFuse技术的必备参考资料。通过遵循这些规格，设计者可以确保他们的电路设计能够满足TSMC 22纳米工艺的高性能和低功耗要求，同时保障数据的安全存储和可靠访问。