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金属前介质层（ PMD ）

金属间介质层（ IMD ）

W 塞（W PLUG ）

钝化层（ Passivation）

acceptor 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子

Acid ：酸

actuator 激励

ADI After develop inspection 显影后检视

AEI After etching inspection 蚀科后检查

AFM atomic force microscopy 原子力显微

ALD atomic layer deposition 原子层淀积

Align mark(key) ：对位标记

Alignment 排成一直线，对平

Alloy ：合金

Aluminum ：铝

Ammonia ：氨水

Ammonium fluoride ： NHF

Ammonium hydroxide ： NHOH

Amorphous silicon ：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）

amplifier 放大器

AMU 原子质量数

Analog ：模拟的

analyzer magnet 磁分析器

Angstrom ：A（E-m）埃

Anisotropic ：各向异性（如 POLY ETCH ）

Antimony(Sb) 锑

arc chamber 起弧室

ARC ： anti-reflect coating 防反射层

Argon(Ar) 氩

Arsenic trioxide(AsO) 三氧化二砷

Arsenic(As) 砷

Arsine(AsH)

ASHER 一种干法刻蚀方式

Asher：去胶机

ASI 光阻去除后检查

ASIC 特定用途集成电路

Aspect ration ：形貌比（ ETCH 中的深度、宽度比）

ATE 自动检测设备

Back end：后段（ CONTACT 以后、 PCM 测试前）

Backside Etch 背面蚀刻

Backside 晶片背面

Baseline：标准流程

Beam-Current 电子束电流

Benchmark：基准

BGA ball grid array 高脚封装

Bipolar ：双极

Boat：扩散用（石英）舟

Cassette 装晶片的晶舟

CD ：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸

Chamber 反应室

Chart 图表

Child lot 子批

chiller 制冷机

Chip (die) 晶粒

Chip ：碎片或芯片。

clamp 夹子

CMP 化学机械研磨

Coater 光阻覆盖（机台）

Coating 涂布，光阻覆盖

Computer-aided design（CAD ）：计算机辅助设计。

Contact Hole 接触窗

Control Wafer 控片

Correlation ：相关性。

Cp：工艺能力，详见 process capability。

Critical layer 重要层

CVD 化学气相淀积

Cycle time 生产周期

Defect density ：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。

Defect 缺陷

DEP deposit 淀积

Depth of focus （DOF ）：焦深。

Descum 预处理

Developer 显影液；显影（机台）

developer：Ⅰ）显影设备； Ⅱ）显影液

Development 显影

DG dual gate 双门

DI filter 离子交换器

DI water 去离子水

Diffusion 扩散

disk 靶盘

disk/flag faraday 束流测量器

Doping 掺杂

Dose 剂量

Downgrade 降级

DRC design rule check 设计规则检查

Dry Clean 干洗

Due date 交期

Dummy wafer 挡片

E/R etch rate 蚀刻速率

EE 设备工程师

ELS extended life source 高寿命离子源

enclosure 外壳

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