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化学气相沉积CVD技术PPT教案.pptx
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化学气相沉积CVD技术PPT教案.pptx
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会计学
1
化学气相沉积
CVD
技术
提 要
CVD
过程中典型的化学反应
CVD
过程的热力学
CVD
过程的动力学
CVD
过程的数值模拟技术
CVD
薄膜沉积装置
第
1
页
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94
页
化学气相沉积(
chemical vapor
deposi
tion, CVD
)是经由气态的先驱物,
通过气相原子、分子间的化学反应,生
成薄膜的技术手段
化学气相沉积
第
2
页
/
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94
页
化学气相沉积的气压环
境
与
PVD
时不同,
CVD
过程的气压
一般比较高(随需求不同而不同),因为较
高的气压有助于提高薄膜的沉积速率。此时
气体的流动状态多处于粘滞流状态
气体分子的运动路径不再是直线
气体分子在衬底上的沉积几率不再是接近
100%
,而是取决于气压、温度、气体组
成、气体激发状态、薄膜表面状态等多个
因素
这也决定了
CVD
薄膜可
被均匀地涂覆在
复杂零件的表面,而较少受到
PVD
时
阴
影效应
的影响
第
3
页
/
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94
页
化学气相沉积的温度范
围
与
PVD
时不同,
CVD
过程的温度
一般也比较高(随需求不同而不同),因为
较高的温度有助于提高薄膜的沉积速率。此
时
高温可提供化学反应所需要的激活能
化学反应不仅发生在薄膜表面
,
而且发生
在所有温度条件合适的地方
即使是在高温下
,
化学反应所涉及的过程
也很复杂:化学反应方向、化学平衡、可
逆反应等都是需要考虑的因素
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