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三极管及放大电路基础PPT学习教案.pptx
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会计学
1
三极管及放大
电路基础
4.1.1 BJT
的结构简介
4.1
半导体三极管
(
BJT
)
4.1.2 BJT
的电流分配与放大原理
3.1.3 BJT
的特性曲线
4.1.4 BJT
的主要参数
第
1
页
/
共
98
页
4.1.1 BJT
的结构简介
半导体三极管
的结构示意图如图
03
.
1
.
0
1
所示。它
有两种类型
:
N
P
N
型和
PNP
型。
两种类型的三极管
发射结
(Je)
集电结
(Jc)
基
极
,
用
B
或
b
表示(
Base
)
发射极
,用
E
或
e
表示(
E
m
i
tte
r
);
集电极
,用
C
或
c
表示(
Col
lec
tor
)。
发射区
集电区
基区
三极管符号
第
2
页
/
共
98
页
结构特点:
•
发射区厚、掺杂浓度最高;
•
集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;
•
基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且
掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
第
3
页
/
共
98
页
3
.
1
.
2
B
J
T
的电流分配与放大原理
1.
内部载流子的传输过程
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,
通
过载流子传输体现出来的。
外部条件:
发射结正偏,集电结反偏。
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以
NPN
为例)
以上看出,三极管内有两种载流
子
(
自由电子和空穴
)
参与导电,故称
为双极型晶体三极管简称晶体管。或
BJT
(Bipolar
Junction
T
ransistor)
。
载流子的传输过程
I
C
=
I
nC
+
I
CBO
I
E
=
I
B
+
I
C
4.1.2
放大状态
BJT
的工作原理
第
4
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