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2020.06.10-兆易创新:布局DRAM存储,盈利持续提升-国联证券-45页.pdf
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更新于2023-09-11
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关于兆易创新(603986)的电子产业报告
电子产业是在信息时代的基础产业之一,涉及范围广泛,包括半导体、计算机、通讯、家电、自动化等领域。作为电子产业的重要组成部分,存储器产业在当今社会中的重要性日益突出,特别是DRAM存储器的发展对整个电子产业的影响不可小觑。
本报告对兆易创新(603986)的存储器业务进行了深入分析,认为公司在DRAM存储器领域的布局具有非常重要的战略意义。公司通过与合肥长鑫的合作,已经成功研发了1Xnm(19nm)DRAM存储器,成为国内首个DRAM供应商。这项成果不仅体现了公司的技术实力,也为公司的长期发展奠定了基础。
此外,报告还对公司在NOR Flash领域的业务进行了分析,认为公司在NOR Flash领域的主攻策略将带来长期的发展前景。公司的产品覆盖了市场主流类型,且与一流供应商深度合作,保证了产能,下游也打入了苹果、华为等大客户供应链。
在MCU领域,公司也取得了不俗的成绩,推出了业内首颗RISC-V MCU GD32V,并收购了思立微,形成了高集成方案,补齐了物联网布局中传感器一端,长期看在AI-IoT领域形成闭环,在物联网万亿级市场上成长潜力巨大。
报告对兆易创新(603986)的电子产业业务进行了深入分析,认为公司在存储器、NOR Flash、MCU等领域的业务布局将带来长期的发展前景,维持公司“推荐”评级。
知识点:
1.DRAM存储器的重要性:DRAM存储器是电子产业的重要组成部分,对整个电子产业的影响日益突出。
2.兆易创新(603986)的DRAM存储器业务:公司通过与合肥长鑫的合作,已经成功研发了1Xnm(19nm)DRAM存储器,成为国内首个DRAM供应商。
3.NOR Flash市场趋势:NOR Flash市场今明两年将持续供需剪刀差,步入价格上行周期。
4.兆易创新(603986)的NOR Flash业务:公司的产品覆盖了市场主流类型,且与一流供应商深度合作,保证了产能,下游也打入了苹果、华为等大客户供应链。
5.MCU市场趋势:MCU市场需求端在云数据+智能手机+服务器驱动下持续增长,供应端受扩产时间差+日韩贸易不确定性+三大寡头维持谨慎资本开支影响产能有限,行业景气度提升。
6.兆易创新(603986)的MCU业务:公司推出了业内首颗RISC-V MCU GD32V,并收购了思立微,形成了高集成方案,补齐了物联网布局中传感器一端,长期看在AI-IoT领域形成闭环,在物联网万亿级市场上成长潜力巨大。
7.电子产业的发展前景:电子产业的发展前景非常广阔,涉及范围广泛,包括半导体、计算机、通訊、家电、自动化等领域。
1
Table_First
T
a
b
l
e
_
F
i
r
s
t
|
T
a
b
l
e
_
R
e
p
o
r
t
T
y
p
e
证
券
研
究
报
告
公
司
深
度
研
究
Table_First|Table_Summary
兆易创新(603986)\电子
——布局 DRAM 存储,盈利持续提升
投资要点:
➢ 供需缺口持续,NOR Flash步入上行周期
NOR Flash下游需求多点开花, NOR Flash市场今明两年将持续供需剪刀
差,步入价格上行周期。公司主攻中低容量NOR Flash,产品覆盖市场主
流类型,2019全球市占率位列前三,上游与中芯国际等一流供应商深度合
作保证产能,下游打入苹果、华为等大客户供应链。研发强劲,国内率先
完成AEC-Q100车规认证,多重优势助力公司深度受益行业红利。
➢ 国内存储之光,联手合肥长鑫打开DRAM天花板
DRAM中国虽是最大市场但自给率几乎为零,存在巨大国产替代空间。公
司联手合肥长鑫已研发成功1Xnm(19nm)DRAM存储器,目前已对外供
应DDR4,成为国内首个DRAM供应商。DRAM市场需求端在云数据+智能
手机+服务器驱动下持续增长,供应端受扩产时间差+日韩贸易不确定性+
三大寡头维持谨慎资本开支影响产能有限,行业景气度提升。公司正式切
入DRAM千亿美金赛道,国产替代迎来曙光。
➢ 推出业内首颗RISC-V MCU GD32V,收购思立微完善IoT产品布局
公司在MCU领域专注32位高端设计,相关业务高速增长近三年营收CAGR
超40%。收购思立微正式进军人机交互领域,形成传感器+MCU+无线模块
高集成方案,补齐物联网布局中传感器一端,长期看在AI-IoT领域形成闭
环,在物联网万亿级市场上成长潜力巨大。
➢ 盈利预测
预计公司2020/2021/2022年营收为43.58/63.59/89.64亿元,EPS分别为
2.14元、3.09元和4.33元,对应PE分别为109.38X、75.71X和54.06X,维
持公司“推荐”评级。
➢ 风险提示
NOR Flash 需求不及预期,价格有下滑风险:裸晶圆供应不足,存储器产
能不足;思立微业绩不达预期。
Table_First|Table_Summary|Table _Excel1
财务数据和估值
2018A
2019A
2020E
2021E
2022E
营业收入(百万元)
2,245.79
3,202.92
4,357.87
6,359.12
8,964.16
增长率(%)
10.65%
42.62%
36.06%
45.92%
40.97%
EBITDA(百万元)
505.63
741.27
1,137.96
1,616.02
2,237.39
净利润(百万元)
405.01
606.92
1,008.39
1,456.90
2,040.28
增长率(%)
3.15%
49.85%
66.15%
44.48%
40.04%
EPS(元/股)
0.86
1.29
2.14
3.09
4.33
市盈率(P/E)
272.34
181.74
109.38
75.71
54.06
市净率(P/B)
58.14
21.11
18.08
14.98
12.08
EV/EBITDA
129.64
98.95
63.60
43.92
30.95
数据来源:公司公告,国联证券研究所
Table_First|Tabl e_ReportDate
2020 年 06 月 10 日
Table_First|Table_Rating
投资建议:
推荐
上次建议:
推荐
当前价格:
234.29 元
Table_First|Table_MarketInfo
基本数据
总股本/流通股本(百万股)
471/397
流通 A 股市值(百万元)
90,016
每股净资产(元)
16.95
资产负债率(%)
13.28
一年内最高/最低(元)
428.18/74.30
Table_First|Tabl e_Chart
一年内股价相对走势
Table_First|Table_Author
马群星
分析师
执业证书编号:S0590516080001
电话:0510-85613163
邮箱:maqx@glsc.com.cn
Table_First|Table_Contacter
Table_First|Table_RelateRepor t
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-100%
50%
200%
350%
500%
2019-06 2019-10 2020-02 2020-06
兆易创新 沪深300
2 请务必阅读报告末页的重要声明
公司深度研究
正文目录
1. 国内存储龙头:一片“中国芯”领导国产替代 ............................ 4
1.1. 研发实力强劲,存储产业全布局 ................................................................ 4
1.2. Fabless 经营模式,加强产业链上下游整合 ............................................... 5
1.3. 股权结构稳定,国家大基金注资支持 ......................................................... 7
1.4. 公司财务数据分析:存储 MCU 双驱动,盈利能力领先对手 ..................... 8
2. 存储行业景气度高:NOR Flash 增量大,DRAM 打开业务天花板 ............ 10
2.1. 半导体存储领域产品总梳理 ...................................................................... 10
2.1. NOR Flash 行业景气度提升,公司技术深厚充分受益 ............................. 14
2.2. 公司切入 SLC 利基市场,有望复制 NOR Flash 成功道路 ....................... 25
2.3. 联手合肥长鑫突破 DRAM 产品线,公司大有可为 ................................... 27
3. 收购思立微,与 MCU 协同布局 IoT .................................... 34
3.1. MCU 市场现状简析 .................................................................................. 34
3.2. 国内 MCU 领导者,成功研发全球首颗 RISC-V MCU .............................. 37
3.3. 收购思立微:切入人机交互领域,AI-IoT 布局再下一城 .......................... 40
4. 盈利预测及评级 ................................................... 43
5. 风险提示 ......................................................... 43
图表目录
图表
1
:公司发展历程
..................................................................................................... 4
图表
2
:公司产品布局
..................................................................................................... 5
图表
3
:公司始终保持高水平研发投入
............................................................................ 5
图表
4
:
Fabless
模式充分体现专业化优势
..................................................................... 6
图表
5
:公司前五大客户销售占比
................................................................................... 7
图表
6
:公司前五大供应商采购占比
............................................................................... 7
图表
7
:公司股权结构图(截止至
2019
年)
.................................................................. 8
图表
8
:公司业绩稳健增长
(单位:亿元)
................................................................... 8
图表
9
:存储与
MCU
业务收入变化
(单位:亿元)
..................................................... 9
图表
10
:公司营收结构(按地域分类)
.......................................................................... 9
图表
11
:公司与对手毛利率对比
................................................................................... 10
图表
12
:公司与对手净利率对比
................................................................................... 10
图表
13
:
DRAM
与
SRAM
性能对比
............................................................................. 11
图表
14
:闪存典型结构
................................................................................................. 12
图表
15
:
NAND
与
NOR
性能对比
................................................................................ 12
图表
16
:
NAND
与
NOR
对比图
................................................................................... 12
图表
17
:
SLC
、
MLC
、
TLC
性能对比
.......................................................................... 13
图表
18
:半导体存储分类
.............................................................................................. 13
图表
19
:半导体存储应用汇总
...................................................................................... 14
图表
20
:智能手机和功能机增长率对比
........................................................................ 15
图表
21
:全球
TWS
出货量
........................................................................................... 15
图表
22
:
TWS
四大技术方案对比
................................................................................. 16
图表
23
:
AMOLED
出货量变化
.................................................................................... 17
图表
24
:
TDDI
出货量稳健增长
.................................................................................... 17
图表
25
:全球智能家居出货量变化
............................................................................... 18
图表
26
:
ADAS
加速渗透
............................................................................................. 19
图表
27
:
5G
系统原理图
............................................................................................... 19
tYqZsXrYtWrYsX7NdNbRmOrRpNqQeRrRrPkPqRoR8OoPsMxNtOoQxNoOrM
3 请务必阅读报告末页的重要声明
公司深度研究
图表
28
:裸晶圆涨价趋势
.............................................................................................. 20
图表
29
:
2019—2021
年
NOR Flash
供需剪刀差
........................................................ 21
图表
30
:
NOR Flash
新增市场规模预测
...................................................................... 21
图表
31
:
2019Q3
兆易创新
NOR Flash
市占率位列全球前三
..................................... 23
图表
32
:
TWS
产业链主供应商
..................................................................................... 24
图表
33
:公司
NOR Flash
新增市场营收测算
.............................................................. 24
图表
34
:
NAND
市场规模变化
...................................................................................... 25
图表
35
:
NAND
市场竞争格局
...................................................................................... 26
图表
36
:
NAND
领域龙头厂商
2020
年生产规划
.......................................................... 26
图表
37
:各厂
SLC NAND
产品比较
............................................................................. 27
图表
38
:华为存储领域替代方案
................................................................................... 27
图表
39
:存储器领域是半导体第一细分市场
................................................................ 28
图表
40
:
DRAM
是存储器领域第一细分市场
................................................................ 28
图表
41
:中国是
DRAM
领域最大市场
.......................................................................... 28
图表
42
:
DRAM
领域被
Top3
厂商垄断
....................................................................... 29
图表
43
:
DRAM
在
2010—2019
年已历经两轮周期
..................................................... 29
图表
44
:
2019
年
DRAM
下游需求占比
........................................................................ 30
图表
45
:智能手机市场恢复增长
................................................................................... 30
图表
46
:服务器市场增长稳健
...................................................................................... 31
图表
47
:全球
DRAM
市场在
2020
年有望迎来第三轮向上周期
.................................. 32
图表
48
:合肥长鑫发展历程
.......................................................................................... 33
图表
49
:
DRAM
主流制程
............................................................................................. 33
图表
50
:
MCU
组成框图
............................................................................................... 34
图表
51
:
MCU
应用广泛
............................................................................................... 34
图表
52
:
2018
年全球
MCU
竞争格局
........................................................................... 35
图表
53
:全球
MCU
市场规模变化
................................................................................ 36
图表
54
:中国
MCU
市场规模变化
................................................................................ 36
图表
55
:全球
MCU
市场需求结构
................................................................................ 36
图表
56
:中国
MCU
市场需求结构
................................................................................ 36
图表
57
:国内手持式红外温枪需求暴增
........................................................................ 37
图表
58
:国内
MCU
市场竞争格局
................................................................................ 38
图表
59
:针对
GD32E230
的额温枪解决方案
............................................................... 39
图表
60
:兆易创新
MCU
业务营收
................................................................................ 40
图表
61
:兆易创新
MCU
业务毛利率
............................................................................ 40
图表
62
:
2019
年全球屏下指纹芯片市场厂商份额对比
................................................ 40
图表
63
:屏下指纹技术对比
.......................................................................................... 41
图表
64
:全球
OLED
屏下指纹手机出货量增幅迅猛
.................................................... 42
图表
65
:思立微
2016—2018Q3
净利润大幅提升
........................................................ 42
图表
66
:思立微指纹业务拉动整体毛利率上升
............................................................. 42
图表
67
:公司历史
PE-band ......................................................................................... 43
图表
68
:公司历史
PB-band ......................................................................................... 43
图表
69
:财务预测摘要
................................................................................................. 44
4 请务必阅读报告末页的重要声明
公司深度研究
1. 国内存储龙头:一片“中国芯”领导国产替代
1.1. 研发实力强劲,存储产业全布局
十余年稳扎稳打,业务布局全球。北京兆易创新科技股份有限公司(以下简称兆
易创新或公司)成立于 2005 年 4 月,于 2016 年 8 月在上海证券交易所上市。兆易
创新是一家以中国为总部的全球化芯片设计公司,在上海、合肥、中国香港设有全球
子公司、在深圳设有分公司、中国台湾地区设办事处、在韩国、美国、日本等地通过
产品分销商提供服务,业务布局全球。
立足存储利基市场,全面拓展产品线。公司于 2008 年 10 月推出国内首款串行
闪存(SPI NOR Flash),同年 12 月第一颗 180nm 产品—3.0V SPI NOR Flash 开始
量产。2010、2011、2012 年三年蝉联“中国芯”最佳市场表现奖。公司 2013 年 3 月
开始量产全球首颗 WSON8 Package SPI NAND Flash 产品,同年 4 月推出国内第
一款 ARM Cortex-M3 32-bit MCU,产品由存储拓展至控制领域。2017 年 10 月公司
联合合肥长鑫开展 12 英寸 1x nm (19 nm ) DRAM 存储器开发项目,正式切入
DRAM 领域。公司 2019 年收购思立微,布局指纹识别 IC 领域。目前,公司存
储,控制,传感器三大业务线协同发展,产品广泛应用于消费电子产品,汽车电
子领域,物联网终端,移动终端和工业控制设备等多个领域。
图表
1
:公司发展历程
来源:公司官网,国联证券研究所
5 请务必阅读报告末页的重要声明
公司深度研究
图表
2
:公司产品布局
领域
产品线
系列
容量
介绍
应用
存储
NOR Flash
3.0V
512K-512M
产品最高可支持高达 240M/s(Dual
SPI)和 480M/s(Quad SPI)的数据
交换速度,数据保持 20 年,擦写
次数 10 万次
WLAN,GPS,STB,物联网终端,汽
车电子,医疗设备,智能可穿戴设
备,工业控制等
2.5V
2M-32M
1.8V
512K-256M
1.65-3.6V
512K-8M
SLC NAND
3V/1.8V
1G-4G
主要产品为 GD5F 产品,公司目前
生产 38nm 产品,持续提升 24nm
产品良率,完善 eMMC 解决方案
功能手机,低端智能手机,STB,基
础数据卡
DRAM
DDR4
8G
19nm 在合肥长鑫投产,17nm 级
正在研发中
服务器,无限通讯(多为智能手
机),PC,消费电子等
控制
MCU
Cortex M3
32 bit
GD32 系列主频 108MHz,供电电压
范围 2.6V-3.6V,片内闪存最大为
1024kb,RAM 最大为 96kb
物联网,人机交互,智能家居,汽
车电子,消费电子,智能安防,电
机控制,工业自动化等
Cortex M4
32 bit
传感
电容指纹芯片
思立微以面状按压式主动电容形式
实现了国内首套完整的按压式指纹
识别方案。屏下指纹识别采用光学
方案
智能手机,平板,智能门锁,AI 等
触控芯片
屏下指纹芯片
来源:公司官网,思立微官网,国联证券研究所
以研发为刃,切入全球存储格局。集成电路行业为技术密集型行业,公司保持高
研发投入以保证技术产品先进性,积累大量知识产权专利。公司目前从事研发人数
344 人,研发人数占比 66.03%,研发支出占比呈稳健增长趋势。2019 年公司投入研
发费用 3.63 亿元,研发费用占比 11.33%。目前在 NOR Flash、 NAND Flash、MCU、
指纹识别等芯片关键技术领域,公司已积累超过 1100 项国内外有效的专利申请,仅
2019 年上半年提交新申请专利 129 项,其中 67 项国内专利、7 项美国专利。
图表
3
:公司始终保持高水平研发投入
来源:公司公告,国联证券研究所
1.2. Fabless 经营模式,加强产业链上下游整合
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
0
50
100
150
200
250
300
350
400
2016 2017 2018 2019
研发费用(百万元) 研发支出占比(右)
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