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芯片功耗分析理论知识讲解（二）
芯片功耗分析理论知识讲解（二）
功耗分析
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芯片功耗分析理论知识讲解的第二部分知识
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Keil.STM32F4xx-DFP.2.17.1
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Keil.STM32F4xx_DFP.2.17.1
1
NLDM
和
CCS
模型
01
1.1
、以反相器为例
对于
cell
的
delay
的计算，由于规模的
原因，是不可能通过晶体管级仿真进
行的。所以引入了静态时序分析的概
念。
而在静态时序分析中，
cell delay
，是
通过查找表并进行插值来得到的，从
而大大减少了计算量，提高了工具的
运行速度。
对
cell delay
的表征，有两种形式。
CCS
：
composite current
sourceNLDM
：
non linear delay
modelCCS
，已经被引用多年。
目前，与
nldm
一样，已经成为了单元
库的标配。本文将简单介绍一下两种
delay model
，以及他们的区别。
1.1
、以反相器为例
Cell
的
Rise delay
和
Fall delay
、
Rise transition
和
Fall transition
如下图所示为一个
Cell
的
lib
中关于
cell_rise/cell_fall
、
rise_transition/fall_transition
的描述：
在
NLDM
模型的
.lib
中，
cell_rise/cell_fall
它描述的是
Cell
从
输
入到
输
出的延
迟
查
找表，它是一个
Input transition
和
Output
load
的二
维查
找表。
rise_transition/fall_transition
描述的是
Cell
输
出
上升和下降沿
transition time
与
Input transition
和
Output load
的二
维查
找表。
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