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内容概要:本文详细介绍了Hi600X系列高精度调光升压LED恒流驱动器的技术特点及其应用场景。Hi600X支持100:1调光比,工作电压范围为5-40V,具备软启动、转换效率>95%、超低待机功耗、真正的无频闪调光等功能,并提供广泛的LED照明解决方案如户外照明、电视背光、太阳能路灯等。文中还涉及具体管脚配置、极限参数及电气特性、应用电路等详尽信息。最后提供了关于外围电路设计的指导,帮助实现稳定的电路性能。 适合人群:从事LED照明及相关电力电子设计的专业人士和技术工程师。 使用场景及目标:①户外照明和工业应用;②消费电子产品设计,特别是对亮度调节要求高的设备如电视机等;③太阳能供电的节能照明项目,如太阳能路灯。 其他说明:文档中不仅涵盖了基本操作指南,还包括了许多针对实际应用中的技巧,旨在确保最佳性能和可靠性的硬件部署。此外,还提供了详细的参数表与典型的特性曲线,方便用户对比分析与调试。
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Hi600X
0X
2022-03-30 V2.3
2017-2022 Copyright © Hichips Technology
1
Hi600X 系列高精度调光升压 LED 恒流驱动器
1.
特性
支持 100:1 调光比
工作电压范围 5-40V
启动电压 2.7V
支持软启动
转换效率>95%
超低待机功耗<2uA
真正无频闪调光
支持调光频率超过 32K
支持开关频率设置
支持 PWM\模拟信号调光
内置 40VLDO 供电
恒流精度≤±3%
支持过温降电流
支持输出过压保护
封装:ESSOP10
2. 应用范围
户外照明
电视背光照明
锂电应用方案
太阳能路灯
补光灯
3.
产品说明
Hi600X 是一系列外围电路简洁的宽调光比升压恒流
驱动器,适用于 3-40V 输入电压范围的 LED 照明领
域。
Hi600X 采用我司专利算法,可以实现高精度的恒流
效果,输出电流恒流精度≤±3%,电压工作范围为
5-40V,可以轻松满足锂电池及中低压的应用需求,
输出耐压仅由 MOS 耐压决定。
芯片内部有本司专利的高精度恒流算法,确保 VIN
的上电时间<500ms。
PWM 调光信号内部转模拟,调光全程无频闪,支持
1K 以上的调光频率,调光比 100:1。当 EN/DIM 拉
低到 GND 超过 40ms,芯片自动进入休眠模式以降
低功耗,此时待机电流<2uA,当 EN/DIM 端口拉高
以后芯片重新启动。EN/DIM 管脚不能悬空,不使
用时应与 VIN 管脚短接在一起。
LD 端 口 支 持 PWM/ 模 拟 调 光 , 模 拟 调 光 范 围
0.2~2.5V。LD 端口接电容到地,可以调整软启动时
间。
芯片的输出电流通过 IFB 端口电阻来设定。
支持过温降电流和输出过压保护。
4.
芯片选型:
型号
输出电流范围
驱动方式
封装形式
编带数量(颗
/
盘)
Hi6000B
——
外置MOS
ESSOP10
4000
Hi6001
<1A
内置MOS
ESSOP10
4000
Hi600X
2022-03-30 V2.3
2017-2022 Copyright © Hichips Technology
2
5. 管脚配置
图 5.2Hi6000B 管脚图
图 5.3 Hi6001 管脚图
编号
管脚名称
功能描述
1
VDD
内部电源,旁路电容脚
2
ROSC
开关频率调节
3
EN/DIM
PWM 调光以及低待机使能
4
LD
模拟调光/PWM 调光
5
COMP
环路补偿电容
6
VFB
输出过压保护
7
IFB
输出电流检测
8
CS
峰值电流检测
9
VIN
外部供电输入
10
GATE
NMOS GATE 驱动管脚
EP
GND
芯片地
编号
管脚名称
功能描述
1
VDD
内部电源,旁路电容脚
2
ROSC
开关频率调节
3
EN/DIM
PWM 调光以及低待机使能
4
LD
模拟调光/PWM 调光
5
COMP
环路补偿电容
6
VFB
输出过压保护
7
IFB
输出电流检测
8
GND
芯片地
9
VIN
外部供电输入
10
CS
峰值电流检测
EP
D
功率 MOS 的 DRAIN 端输出
Hi600X
2022-03-30 V2.3
2017-2022 Copyright © Hichips Technology
3
6. 极限参数
符号
说明
范围
单位
VIN
外部供电输入
-0.3~46
V
EN/DIM
PWM 调光以及低待机使能
-0.3~46
V
VFB/CS/GATE
输出过压保护、峰值电流检测、NMOS GATE 驱动管脚
-0.3~46
V
D
功率 MOS 的 DRAIN 端输出(仅限 Hi6001)
-0.3~60
V
其余管脚
VDD、ROSC、LD、COMP、IFB、GND
-0.3~6
V
RθJA
PN 结到环境的热阻(注 1)
65
℃/W
PD
最大承受功耗(注 2)
1.0
W
TSTG
存储温度
-40~150
℃
TA
工作温度
-40~125
℃
ESD
HBM 人体放电模式
>2
KV
注 1:最大输出功率受限于芯片结温, 最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。在极限参
数范围内工作,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。
注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由T
JMAX
,R
θJA
和环境温度T
A
所决定的。最大允许功耗为
PD=(TJMAX-TA)/RθJA或是极限范围给出的数值中较低值。
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单片机小白123
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