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华邦 W25Q16 存储器颗粒 SPI 编程

W25X16、W25X32 和 W25X64 系列 FLASH 存储器可以为用户提供存储解决方案，具有“PCB 板占用空间少〞、

“引脚数量少〞、“功耗低〞等特点。与普通串行 FLASH 相比，使用更灵活，性能更出色。它非常适合做代码下载应用，例

如存储声音，文本和数据。工作电压在 2.7V-3.6V 之间，正常工作状态下电流消耗 0.5 毫安，掉电状态下电流消耗 1 微

安。所有的封装都是"节省空间"型的。

W25X16、W25X32 和 W25X64 分别有 8192、16384 和 32768 可编程页，每页 256 字节。用"页编程指令"每

次就可以编程 256 个字节。用"扇区(sector)擦除指令"每次可以擦除 16 页，用“块(block)擦除指令〞每次可以擦除 256

④:串行数据输入输出引脚 DIO。

(注意:第④引脚“串行数据输入输出引脚 DIO〞的解释:在普通情况下，这根引脚是“串行输入引脚(DI)，当使用了快读

双输出指令(Fast Read Dual Output instruction)时，这根引脚就变成了 DO 引脚，这种情况下，芯片就有了两个 DO

引脚了，所以叫做双输出，这时，如果与芯片通信的速率相当于翻了一倍，所以传输速度更快。)

另外，芯片还具有保持引脚(HOLD)、写保护引脚(WP)、可编程写保护位(位于状态存放器 bit1)、顶部和底部块的控

制等特征，使得控制芯片更具灵活性。

芯片支持 JEDEC 工业标准。

引脚排布：

原 理

图：

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通过"读状态存放器指令"读出的状态数据可以知道芯片存储器阵列是否可写或不可写，或是否处于写保护状态。通过 "

写状态存放器指令"可以配置芯片写保护特征。

状态存放器：

忙位(BUSY)

BUSY 位是个只读位，位于状态存放器中的 S0。当器件在执行"页编程"、"扇区擦除"、 "块区擦除"、"芯片擦除"、"

写状态存放器"指令时，该位自动置 1。这时，除了"读状态存放器"指令，其它指令部忽略。当编程、擦除和写状态存放器

指令执行完毕之后，该位自动变为 0，表示芯片可以接收其它指令了。

写保护位(WEL)

WEL 位是个只读位，位于状态存放器中的 S1。执行完"写使能"指令后，该位置 1。当芯片处于"写保护状态"下，该

位为 0。在下面两种情况下，会进入"写保护状态"

底部和顶部块区保护位(TB)

TB 位是可读可写位，位于状态存放器的 S5。该位默认为 0，说明顶部和底部块区处于未被保护状态下。可以用"写状

态存放器"命令置位该位。当 SPR 位为 1 或/WP 引脚为低的时候，这些位不可以被更改。

保存位

状态存放器的 S6 为保存位，读出状态存放器值时，该位为 0。建议读状态存放器值用于测试时将该位屏蔽。

状态存放器果护位〔SRP〕

SRP 位是可读可写位，位于状态存放器的 S7。该位结合/WP 引脚可以实现禁能写状态存放器功能。该位默认值为

0。当 SRP 位=0 时，/WP 引脚不能控制状态存放器的"写禁能"。当 SRP 位=1，/WP 引脚=0 时，"写状态存放器"命令

失效。当 SRP 位=1，/WP 引脚=1 时，可以执行"写状态存放器"命令。

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状态存放器存储保护模块：

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“写使能〞指令将会使“状态存放器〞WEL 位置位。在执行每个“页编程〞、“扇区擦除〞、“块区擦

程序设计流程：

4、将数据赋值给 SPI_DR 存放器；

5、等待接收缓冲区是否为空，SPI_SR 的 RXNE 位；

6、返回接收到的数据；

7、禁能片选位，拉高 CS 引脚。

unsigned char SPI_SendByte(unsigned char byte)

{