实验二静态随机存储器实验.doc

实验二静态随机存储器实验 静态随机存储器（SRAM）是一种常用的存储器类型，它具有快速的读写速度和低功耗的优点。在本实验中，我们将使用 6116 型号的 SRAM 芯片来学习静态随机存储器的工作原理和读写方法。 一、实验目的： 掌握静态随机存储器 RAM 的工作特性及数据的读写方法。 二、实验内容： 1. 实验原理： 静态随机存储器由一片 6116（2K×8bit）构成，具有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CS=0）时，OE=0 时进行读操作，WE=0 时进行写操作。 2. 实验步骤： （1）关闭实验系统电源，按图 2-4 连接实验电路，并检查。 （2）将时序与操作台单元的开关 KK1、KK3 置为运行档、开关 KK2 置为‘单步’档。 （3）将 CON 单元的 IOR 开关置为 1，打开电源开关，如果听到有‘嘀’ 报警声，说明有总线竞争现象，立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。 （4）给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H。 （5）读取存储器的内容，并观测实验结果。 三、实验结果： 单元地址写入数据读出数据 第一部分地址00H11H11H01H12H12H02H13H13H03H14H14H04H15H15H 第二部分地址15H11H11H56H21H21HA2H22H22HD4H32H32HE1H41H41H 四、实验总结： 1. 在读出数据完成时，应先关闭 RD 按钮然后再关闭 IOR 按钮，否则就会产生“滴”的声音。 2. 在插线的过程中注意不要把两头的线插错位或插反了，否则会影响试验结果。 3. 可以不依次输出存储单元的内容，如在依次输入第 00、01、02、03、04 号存储单元内容后，可以不按顺序随机输出存储单元的内容。 4. 数据通路图会有数据的流动，反映当前存储器所做的操作，即使是对存储器进行读，也应按动一次 ST 按钮，数据通路图才会有数据流动。 5. 将 CON 单元的 IOR 开关置为 1 后，再打开电源开关，如果听到有‘嘀’ 报警声，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。 通过本实验，我们可以了解静态随机存储器的工作原理和读写方法，并掌握静态随机存储器的使用方法。