NANDFlash和嵌入式处理器S3C44B0X的接口设计.doc资源-CSDN文库

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嵌入式系统中的存储接口设计

摘要：本文介绍了三星公司的 NAND Flash 存储器芯片 K9F2808u0b 的基本结构，研究了嵌

入式处理器 S3C44B0X 的接口设计，并给出了接口的硬件部分以及软件部分的设计方法。

关键词：NAND Flash 存储器；S3C44B0X；嵌入式系统

1、引言

嵌入式系统在消费电子、工业控制、电信通讯等领域得到了越来越广泛应用的同时对

嵌入式系统的要求也更高，作为嵌入式系统重要组成部分的存储系统也需要得到相应的发

展。通常的硬盘存储系统由于其抗震抗电磁干扰能力差、使用温度范围窄、无法长期工作

于恶劣环境中等缺点，不能很好的顺应嵌入式系统的快速发展。NAND Flash 具有速度快、

容量大、成本低、体积小等优点，尤其能够在恶劣的环境下正常工作，更较有利于嵌入式

文件系统的实现，已经成为嵌入式设备存储介质的主流。

2. 系统主要硬件介绍

本系统使用基于以 ARM7TDMI 为内核的嵌入式芯片 S3C44B0X，并选用 Samsung 公

司生产的 NAND Flash 存储器芯片 K9F2808u0b 作为存储介质。

S3C44b0X 是三星公司的一款 32bit 的基于 ARM7TDMI 内核的 SOC 芯片，不仅具有低

功耗、高性能的优点，而且扩展了一系列完整的通用外围器件，其集成的部件有：

8KBCache、外部存储器控制器、LCD 控制器、4 个 DMA 通道、2 个 UART、1 个 I

2

C 总线

控制器、1 个 IIS 总线控制器、5 通道 PWM 定时器以及一个内部定时器、71 个通用 I/O、8

个外部中断源、8 通道 10 位 ADC 等。继承外设大大减少了系统电路中除处理器以外的元

器件配置，从而使系统费用降至最低，消除了添加附加配置的需要。

K9F2808U0B 是三星公司生产的 128Mb（16M×8 位）NAND Flash 存储器。该存储器

的工作电压为 2.7-3.6V，内部存储结构为（16M+512）位×8 位，页大小为（512+16）字节，

块大小为（16KB+512 字节）。K9F2808U0B 对一个 528 字节的页进行典型的编程操作只要

200μs 的时间，对一个 16K 大小的块进行擦除需要 2ms 的时间，对页中一个字节的读周期

为 50ns。K9F2808U0B 按功能可以划分为：存储阵列、输入/输出缓冲、命令寄存器、地址

译码寄存器和控制逻辑产生，如图 1 所示。其中，命令寄存器用来确定外部设备对存储器

进行操作的类型；地址译码寄存器用于保存被访问的地址并产生相应的译码选通信号。主

设备通过 8 位 I/O 端口分时复用访问器件命令、地址和数据寄存器，完成对芯片内的存储

器的访问

[1]

。

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