嵌入式系统中 Nand-Flash 的原理及应用
2007-12-27 嵌入式在线 收藏 | 打印
当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR 和 NAND
是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。
Nor-flash 存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式
系统中，常应用在程序代码的存储中。Nor-flash 存储器的内部结构决定它不适合朝大容量
发展;而 Nand-flash 存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且
写入和擦除的速度也很快。
Nand-flash 存储器是 flash 存储器的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容
量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash 存储器具有容量较大，改写速度
快，适用于大量资料的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括
数码相机、MP3 随身听记忆卡、体积小巧的 U 盘等。
本文以三星公司的 K9F1208UOB 芯片为例，介绍 Nand-flash 存储器芯片的读写流程和
时序。
1 Nand-Flash 存储器的工作原理
1.1 Nand-Flash 存储器的组成结构及指令集
K9F1208UOB 的容量为 64Mb，存储空间按 128K 个页(行)、每页中 528 个字节(列)的
组成方式构成。备用的 16 列，位于列地址的 512-527。K9F1208UOB 还将存储空间分为
块(block)，每 1 块由 32 个页构成。因此 K9F1208UOB 中一共有 4096 个块。这种“块-页”
结构，恰好能满足文件系统中划分簇和扇区的结构要求。K9F1208UOB 的内部结构如图 1
所示。
