DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系统中的应用.doc资源-CSDN文库

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7 浏览量 2022-06-12 12:10:24 上传评论收藏 312KB DOC 举报

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引言

　　DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM 是由 JED-EC 开发的新生代

内存技术标准,与上一代 DDR 内存技术标准相比，虽然采用时钟的

上升／下降沿同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有

2 倍于上一代 DDR 内存预读取能力(即：4 bit 数据读预取)。即就是，

DDR2 内存每时钟能以 4 倍的外部总线速度读／写数据,并且能以内

部控制总线 4 倍的速度运行。

　　此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装,

而不是目前 DDR 广泛应用的 TSOP/TSOP-II 封装,FBGA 封装可以提

供良好的电气性能与散热性。DDR2 内存采用 1．8 V 电压,可使功耗

和发热量达到最低，此外，DDR2 还具有 OCD、ODT 和 Post CAS

三项新技术。

　　OCD(Off-Chip Driver)：离线驱动调整，DDR2 通过 OCD 提高信

号的完整性，通过调整上拉(pull-up)／下拉(pull-down)电阻使两者电

压相等。使用 OCD 技术通过减少 DQ-DQS 的倾斜提高信号的完整

性,通过控制电压提高信号品质。

　　ODT：内建核心的终结电阻器。使用 DDRSDRAM 的主板,为了

防止数据线终端反射信号，需要大量的终结电阻。这样就大大增加

了主板的成本。但实际上，不同内存模组对终结电路的要求是不一

样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则

数据线信号反射低，信噪比也低：终结电阻高，则数据线的信噪比

高，信号反射也增加。因此主板上的终结电阻不能很好的匹配内存

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