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电子技术基础（模拟部分）教学课件
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电子技术基础（模拟部分）教学课件
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电子技术基础（模拟部分）教学课件，适用于电气工程类学生
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1
第四章
第四章
半导体三极管及放大
电路基础
半导体三极管及放大
电路基础
半导体三极管
共射极放大电
路
图解分析法
小信号模型分
析法
放大电路的工
作点稳定问题
共集电极电路
和共基极电路
多级放大电路
放大电路的频
率响应
2
§4.1
§4.1
半导体三极管
半导体三极管
(BJT)
(BJT)
BJT
结构
与类型
BJT
主要
参数
BJT
特性曲
线
BJT
电流分配
与控制
半导体三极管，也叫
晶体三极管。由于
工作时多数载流
子和少数载流子
都参与运行，因此，
还被称为双极型晶
体管（
Bipolar Jun
ction Tran
sistor,
简称
BJT
）。
3
1.BJT
1.BJT
的结构与类型
的结构与类型
根据结构不同，
BJT
分为两种
:
NPN
型
和
PNP
型
BJT
按频
率、功率、材料、结构等分为多种类型
三极管的结构特点
:
发射区的掺杂浓度
比集电区掺杂浓度
高，而集电区面积
大
;
基区很薄且掺杂浓
度低。
（符号中发射极的箭头
代表
发射极电流的正向
流向）
符号：
-
发射区
集电区
基区
发射结
集电结
NPN
型
N
N
P
-
-
P
P
N
发射区
集电区
基区
发射结
集电结
e
c
b
发射极
集电极
基极
PNP
型
e
c
b
发射极
集电极
基极
(base)
(emitte
r)
(colle
ctor)
4
2. BJT
2. BJT
电流分配与控
制
电流分配与控
制
可以通过对
BJT
的发射结和集电结加不同的偏置电
压来产生不同的工作状态。
工作在放大状态时的偏置要求：
发射结正偏，集电结反偏
例： 一种
NPN
型
BJT
放大电路的直流偏置电路
NP
N
R
c
Rb
Vc
c
BB
V
+
_
V
o
I
B
I
C
I
E
+
–
V
BE
+
–
V
CB
三个极的电
流情况如何
呢
?
5
(2)
发射区注入基
区的电子继续向集
电结扩散，扩散过
程中少部分电子
与基
区空穴复合形成电
流
I
BN
。由于基区薄且杂
质浓度低，所以
I
BN
较小。
(3)
集电结反偏，基区
中扩散到集电结
边缘的电子在内电场作
用下漂移
过集电结，到达集电区
，形成
I
CN
。同时基区和集电
区少子漂移形成反向
饱和电流
I
CBO
，
I
C
=
I
CN
+
I
CBO
。
BJT
BJT
内部载流子的运动
内部载流子的运动
(1)
在
V
BE
作用下，发射区向基区
扩散电子
(
形成
I
EN
)
，，同时基区空穴
也扩散到发射区
(
形成
I
EP
)
，合成为发射极电流
I
E
，
I
E
=
I
EN
+
I
EP
I
EN
。
内部载流子的运动
发射区向基区
注入电子
电子在基区中
扩散与复合
集电区收集电
子
N
N
P
B
B
V
C
C
V
R
b
R
C
e
b
c
I
EN
E
P
I
I
E
B
I
C
N
I
C
I
C
B
O
I
I
BN
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