具有裸片以执行刷新操作的设备的制作方法.docx

"具有裸片以执行刷新操作的设备的制作方法" 以下是从给定的文件中生成的相关知识点： 一、半导体设备的背景技术 *DRAM（动态随机存取存储器）是一种常见的半导体装置，执行刷新操作以恢复存储器单元中的电荷，以维持规律数据的经储存状态。在周期性基础上或在指令基础上针对DRAM的单个裸片执行刷新操作，但是当涉及多个裸片时，操作变得更加复杂，使得电流消耗及稳定性变得更难以控制。 二、技术实现要素 * 按照本发明的第一方面，一种设备包含：接口芯片、第一存储器芯片、及其次存储器芯片等。 * 接口芯片包含振荡器电路，以提供振荡器信号。 * 第一存储器芯片包含经配置以响应于原始时钟信号而接收第一时钟信号的第一端子、被供给第一控制信号的其次端子、及当第一控制信号在作用中时响应于第一时钟信号而经历数据刷新操作的第一存储器单元。 * 其次存储器芯片包含经配置以响应于原始时钟信号而接收其次时钟信号的第三端子、被供给其次控制信号的第四端子、及当其次控制信号在作用中时响应于其次时钟信号而经历数据刷新操作的其次存储器单元。 三、芯片堆叠结构 * 按照本发明的其次方面，一种设备包含：芯片堆叠结构，其包含彼此上下堆叠的第一存储器芯片及其次存储器芯片；及接口芯片，其耦合到芯片堆叠结构。 * 第一存储器芯片包含第一端子及其次端子及多个第一存储器单元。 * 其次存储器芯片包含第三端子、第四端子及第五端子。 * 第一存储器芯片及其次存储器芯片彼此上下堆叠，使得第一存储器芯片的其次端子电衔接到其次存储器芯片的第五端子。 四、接口芯片的耦合 * 接口芯片包含第六端子、第七端子及第八端子且耦合到芯片堆叠结构，使得接口芯片的第六端子、第七端子及第八端子电衔接到其次存储器芯片的第三端子、第四端子及第五端子。 * 其次端子耦合到第一存储器芯片的第一指令解码器电路，且第四端子耦合到其次存储器芯片的其次指令解码器电路。 * 第一指令解码器电路及其次指令解码器电路彼此自立工作。 五、设备的工作方式 * 按照本发明的第三方面，一种设备包含：接口芯片，其包含振荡器电路以提供振荡器信号；第一存储器芯片，在其上响应于在第一节点处供给的第一刷新启用信号及在其次节点处供给的第一振荡器启用信号而执行第一刷新操作；其次存储器芯片，在其上响应于在第三节点处供给的其次刷新启用信号及在第四节点处供给的其次振荡器启用信号而执行其次刷新操作。 * 第一节点及第三节点经配置以从接口芯片彼此自立接收第一刷新启用信号及其次刷新启用信号。 * 其次节点及第四节点经配置以基于振荡器信号在彼此不同的时序中接收第一振荡器启用信号及其次振荡器启用信号，使得即使当第一节点及第三节点同时接收第一刷新启用信号及其次刷新启用信号时，仍在彼此不同的时序中执行第一刷新操作及其次刷新操作。 六、图解释 * 附图解释图 1 解释按照第一实施例的高带宽存储器的实例。 * 图 2 解释按照第一实施例的具有高带宽存储器及图形处理单元的实例结构。 * 图 3 解释按照第一实施例的接口裸片的电路的实例。 * 图 4 解释按照其次实施例的高带宽存储器的实例。 * 图 5 解释按照其次实施例的自刷新时序的实例。 * 图 6 解释按照其次实施例的自刷新时序的另一实例。 * 图 7 解释按照第一实施例的高带宽存储器的实例。 * 图 8 解释按照第三实施例的高带宽存储器的第三实例。 * 图 9 解释按照第一实施例的自刷新时序的实例。 * 图 10 解释按照第一实施例的核心裸片的实例。 * 图 11 解释按照第一实施例的核心裸片中的自刷新波形的实例。 * 图 12 解释按照第四实施例的高带宽存储器的第四实例。 * 图 13 解释按照第五实施例的高带宽存储器的第五实例。 七、详细实施方式 * 在以下描述中，出于说明的目的，阐述许多详细详情以提供标的物的各种实施例的理解。 * 图 1 解释按照第一实施例的高带宽存储器（HBM）的实例。 * HBM100 可包含接口裸片 101、接口裸片 101 上方的核心裸片的堆叠 102、用于将核心裸片 102 彼此衔接的穿硅通孔（TSV）103、及凸块垫 104，且 HBM100 可包含例如在下文中通过参考图 7、8、12 及 13 说明的高带宽存储器。 * 在一些实施例中，凸块垫 104 可包含微凸块 104 且可接收来自主机控制器（未展示）的信号。 * 接口裸片 101 可缓冲从凸块 104 到 TSV103 的信号。 * 在一些实施例中，核心裸片 102 可包含存储器单元，而接口裸片 101 可不包含存储器单元。