半导体工艺仿真工具TSUPREM-4(23)中文教程

TSUPREM-4半导体工艺仿真工具中文教程 TSUPREM-4是一个计算机程序，用于硅基集成电路和分立器件制造工艺仿真。该程序可以模拟杂质在垂直于硅晶圆表面的两维器件横截面中的注入和再分布。TSUPREM-4的输出信息包括结构中不同材料层的边界、每层中杂质的分布、由氧化、热循环、薄膜淀积产生的应力等等。 TSUPREM-4可以处理的工艺步骤类型包括离子注入、惰性环境杂质再分布、硅和多晶硅氧化物和硅化物生成、外延生长、不同材料的低温淀积和刻蚀仿真结构。TSUPREM-4仿真结构包括很多区域，每一区域由一种或几种材料组成。每种材料可以用多种杂质掺杂。 TSUPREM-4中提供的材料有单晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、钛、硅化钛、钨、硅化钨、光刻胶、铝，以及用户自定义的材料。可用的杂质类型包括硼、磷、砷、锑和用户自定义的杂质。 TSUPREM-4还可以仿真硅层中的点缺陷（间隙原子或空位）及它们对杂质扩散的影响。氧化物质在二氧化硅层中再分布的仿真可用于计算氧化速率等。 TSUPREM-4基本命令介绍： 1. 格式及变量说明： {}、（）、 [ ]用于变量分组 用“|”符号隔开的参量表示一定要在这些参量中选择一个 用“/”符号隔开的参量表示这些参量是同一个语句中的关键字 变量类型有三种：数字变量、字符变量、逻辑变量 2. 命令类型： 文件与控制命令：COMMENT 、 SOURCE 、 RETURN 、 INTERACTIVE 、 PAUSE 、 STOP 、 FOREACH/END、LOOP/L.END、L.MODIFY、IF/ELSEIF/ELSE/IF.END、ASSIGN、INTERMEDIATE、ECHO、OPTION、DEFINE、UNDEFINE、CPULOG、HELP 定义器件结构的命令：MESH、LINE、ELIMINATE、BOUNDARY、REGION、INITIALIZE、LOADFILE、SAVEFILE、STRUCTURE、MASK、PROFILE、ELECTRODE 工艺步骤命令：DEPOSITION、EXPOSE、DEVELOP、ETCH、IMPLANT、DIFFUSION、EPITAXY、STRESS 输出命令：SELECT、PRINT.1D、PLOT.1D、PLOT.2D、CONTOUR、COLOR、PLOT.3D、LABEL、EXTRACT、ELECTRICAL、VIEWPORT 模型与系数控制命令：METHOD、EQUATION、AMBIENT、MOMENT、MATERIAL、IMPURITY、REACTION、M