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Mosfet/IGBT隔离驱动技术
Mosfet/IGBT隔离驱动技术
Mosfet，IGBT，隔离驱动
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2009-07-24
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详细介绍了MOSFET,IGBT的隔离驱动方法，有实例
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igbt及MOSFET隔离驱动技术
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为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
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因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性有很大好处。
6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门
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本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。
新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B
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摘要：SKHI22A/B是德国西门康（SEMIKRON）公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。文章介绍了SKHI22A/B的主要结构特点和功能，给出了它的具体应用电路。 关键词：IGBT；驱动模块 ；SKHI22A/B１ 概述ＳＫＨＩ系列驱动模块是德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司推出的一种新型ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ驱动模块。ＳＫＨＩ系列驱动模块主要有以下特点：●仅需一个不
Vishay发布新型MOSFET IGBT驱动器VO3150
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Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器，该器件的最大低电平输出电压为 1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET 驱动器的隔离式解决方案 － 新型 VO3150 － 在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为 1200V 及 50A 直接驱动的 IGBT。 采用 8 引脚 DIP 封装
IGBT资料IGBT驱动富士IGBT最新选型英飞凌IGBT驱动IGBT有源钳位技术IGBT逆变器等资料36个合集.zip
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IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术.pdf IGBT和MOSFET驱动对比.pdf IGBT强驱动电路的设计.pdf IGBT损耗计算与散热设计.doc IGBT替代MOSFET.doc IGBT有源钳位技术的介绍.pdf IGBT栅极驱动技术探讨.pdf IGBT模块的选型....
Vishay推出IGBT/MOSFET驱动器VO3120/50A
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宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。此次发布的VO3120和VO3150A的输出电流分别为2.5A和0.5A，具有最宽的工作电压和很高的环境工作温度，其低功耗特性能够实现更好的热管理，以及在...
Avago推出2.5A最大输出驱动的光隔离IGBT栅驱动
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系统设计师现在要求带有综合功能的隔离栅驱动，例如用于可靠的IGBT和电源MOSFET操作和保护的有源米勒箝位和轨至轨输出，这在点击驱动和可再生能源逆变器中尤为重要，在这里不允许出现停机，野外维修也非常昂贵。...
六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门
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MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断...
元器件应用中的IGBT的驱动和过流保护电路的研究
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绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipo1ar Transistor，IGBT)是MOSFET 与GTR 的 复合器件，因此，它既具有MOSFET 的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简 单、热温度性好的优点,又包含了GTR 的载流量大...
IGBT 智能化驱动电路设计
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虽然采用光纤驱动技术可以使隔 离电压达到7 kV 以上, 但光纤驱动模块价格昂贵, 接线不方便、受热易变形及受震动接触不可靠等因 素的影响, 其性价比并不高。文中介绍一种高性价 比、简单可靠的IGBT 驱动电路的设计。
通用光纤隔离驱动在大功率IGBT中的应用
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O 引言 自MOSFET及IGBT问世以来，电压控制型电力电子器件，特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高，电流越做越大。同时，与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越...
新的单路电气隔离栅极驱动器具有独立的导通/关断输出
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意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。...
隔离式栅极驱动器揭秘
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IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作...
隔离驱动IGBT等功率器件知多少
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关于隔离驱动IGBT功率器件，你了解多少呢？像IGBT这样的功率器件，需要有充分的保护，避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等造成的损害。本文将为你简单介绍，供读者参考。
SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
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本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块...
元器件应用中的六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门
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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧.doc
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IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成
Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器
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宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。 VOW3120-X017T的短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有...
Qt 5实现串口调试助手 （源工程文件、0积分下载）
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基于Qt 5实现串口调试助手，程序仅供参考，修改了之前十六进制接收0xA0--0xFF有误的问题，新增了窗口自适应（ui文件设置栅格），文件详情可看博客链接https://blog.csdn.net/m0_51294753/article/details/121405661。
【SystemVerilog】路科验证V2学习笔记（全600页）.pdf
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SystemVerilog的听课学习笔记，包括讲义截取、知识点记录、注意事项等细节的标注。 目录如下： 第一章 SV环境构建常识 1 1.1 数据类型 1 四、二值逻辑 4 定宽数组 9 foreach 13 动态数组 16 队列 19 关联数组 21 枚举类型 23 字符串 25 1.2 过程块和方法 27 initial和always 30 func
AutoSAR标准协议4.2.2
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AutoSAR标准协议规范4.2.2，里面包含了AutoSAR组织所规定的AutoSAR架构的标准规范协议原文档。对AutoSAR的学习有一定的借鉴意义
光伏-储能并网系统仿真.rar
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该文件是清华大学储能课的期末大作业。用SIMULINK搭建了一个完整的光伏-储能并网系统。我的博客中介绍了系统实现的具体方法，欢迎查看！
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GD32替换STM32注意事项.pdf
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XCP协议的规范文档
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XCP协议的原规范文档，主要包含了Part1-5共5个部分，其中第三部分又分为CAN、以太网和Sxl等。对于XCP协议的开发者和学习者有借鉴意义
VS2015安装证书，JavaScript_ProjectSystem.msi，JavaScript_LanguageService.msi
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vs2015.iso包安装，不然会卡在安装包丢失或损坏
CANoe通过CAPL脚本实现自动测试
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现在汽车行业用vector的工具进行自动测试，但是该自动测试模板很少，本案例是分享CAPL脚本自动化测试的模板，和自动控制测试步骤的XML模板，使用过程可以通过本人分享的文档来实现工程的建立到自动测试的完成。通过CAPL脚本+XML控制测试步骤，实现自动测试，生成测试报告。
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Goodwinchang
2018-04-11
很好的資源, 謝謝了.
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