基于磁信道的STT-MRAM和MLC NAND极化码硬件测试平台研究与仿真

内容概要：本文主要探讨了基于磁信道的STT-MRAM（自旋转移矩磁性随机存取存储器）和MLC NAND闪存存储器极化码硬件测试平台的设计与仿真。首先阐述了这两种存储器的工作原理及其在极化码应用方面的发展现状与潜力。接着详细分析了STT-MRAM的BAC-GMC级联信道建模、MLC NAND闪存的编程噪声、单元间干扰等四种信道特征。随后，介绍了用于实现复杂数学函数运算如指数、对数的CORDIC算法，以及基于此算法设计的具体模块实现过程，并对这些模块进行了功能验证。最后，利用IBM SPSS验证了高斯白噪声生成(GNG)模块生成数据的标准高斯分布性质，确保了系统的可靠性和准确性。实验结果表明，设计的硬件平台能够有效地完成预期的功能。 适合人群：通信工程专业的科研人员，以及从事内存与存储设备研发工作的技术人员。 使用场景及目标：该文章适用于需要深入理解STT-MRAM和MLC NAND极化码特性的人群，特别是那些希望通过硬件加速技术改进现有内存解决方案的研发团队。其最终目的是为新一代高性能、低功耗存储系统的开发提供技术支持。 其他说明：该研究成果对未来STT-MRAM及MLC NAND的应用和发展提供了重要的理论依据和技术指导。虽然目前的设计已经在ModelSim平台上得到了验证，但未来的方向可能涉及更复杂的场景适应能力提升、精度优化等方面的工作。