Hynix DDR4 SDRAM Part Number解析

Hynix公司是一家韩国的半导体制造商，专注于生产各种内存解决方案，包括DRAM（动态随机存取存储器）。DDR4 SDRAM是一种先进的内存技术，它具有更低的功耗、更高的速度和更好的性能。本文档将对Hynix DDR4 SDRAM部件编号进行详细解析，以帮助用户理解部件编号中所包含的各种信息。 部件编号的一般格式可能类似于“H5ANXXXXXXX-XXX”，这里会详细解释每个部分的含义： 1. “H5AN”部分是指部件的类型和世代。H5代表这一系列的产品线，AN可能代表该产品线的特定版本或家族。 2. 接下来的“XXXXXXX”是一个序列号，用于表示特定的部件配置。这通常涉及到速度、容量、引脚布局等不同参数。 3. “-XXX”部分通常代表了部件的具体配置信息，如速度等级、温度等级、功率消耗、封装类型等。 在“LastUpdated:Mar.2016”这一信息后，下面的参数可被解释为： 1. “OPERATING TEMPERATURE & POWER CONSUMPTION”表明内存的运行温度和功耗类型。CR表示商业温度范围（0°C~85°C），表示此内存适用于一般商业环境。Normal Power表示标准功耗。 2. “SPEED (tCL-tRCD-tRP)”标示了内存的时序参数，用三个数字表示列地址选通延迟（tCL）、行到列延迟（tRCD）和行预充电延迟（tRP）。例如，DDR4-2666 19-19-19表示该内存运行在2666 MHz的速度下，时序为19-19-19。 3. “PACKAGING MATERIAL”描述了封装材料。LP代表铅封装，R表示符合ROHS标准的无铅封装，RF代表无铅且无卤素的封装，符合环保要求。 4. “PACKAGING TYPE”则涉及到封装的具体类型，如FBGA代表细间距球栅阵列封装，FBGA DDP代表双Die封装，TSV2highstack和TSV4highstack则指堆叠型封装技术，使用TSV（Through Silicon Via）技术。 5. “Hynix MEMORY PRODUCT FAMILY”指的是Hynix的内存产品系列，数字5表示该产品属于DDR4 SDRAM系列。 6. “PRODUCT MODE”中的A代表这是标准的DDR4 SDRAM产品。 7. “POWER SUPPLY”指出该内存的电源电压，VDD和VDDQ通常为1.2V。 8. “DENSITY & REFRESH”表示内存的容量和刷新速率。数字从1Gb到32Gb不等，x4、x8、x16则表示每颗芯片的数据宽度。 9. “ORGANIZATION”指出了内存芯片的组织形式，DIETYPE区分TSV（通过硅通孔技术）和非TSV。 10. “DIE GENERATION”表示芯片内核的版本，从第1代到第8代不等，字母A到C可能代表了不同的子版本。 综合以上信息，Hynix DDR4 SDRAM部件编号提供了关于产品规格的完整描述。消费者和IT专业人员可以通过这些编号了解产品在速度、容量、功耗、温度范围、封装材料、封装类型、电源电压、刷新率、内存组织和芯片代等方面的详细情况。这些信息对于正确配置系统和确保部件间兼容性至关重要。