英飞凌在华投资计划：丰富IGBT产品线,助力新能源汽车发展.pdf

标题和描述中提到的核心知识点是英飞凌在华的投资计划，特别是关于丰富其IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品线，以支持新能源汽车的发展。IGBT是一种关键的功率半导体器件，它在能源转换和传输中扮演着核心角色，尤其在新能源汽车、可再生能源、轨道交通等领域有广泛应用。 英飞凌的无锡工厂扩产计划旨在使其成为全球最大的IGBT生产基地之一，以应对快速增长的市场需求。IGBT模块如HybridPACK™双面冷却模块是专门针对电动汽车设计的，适用于主逆变器和电池的充放电，已经在多款混合动力和电动汽车中得到应用。此外，工厂还将生产用于风电、光伏、家电和工业等领域的其他IGBT模块和智能功率模块。 新能源汽车的发展对高效、高性能的电力电子设备有高度依赖，而IGBT作为这类设备的关键组件，其性能直接影响到车辆的能效和续航里程。因此，英飞凌的投资计划不仅是对其生产能力的扩展，也是对新能源汽车市场的深度参与和支持。 同时，文中还提到了氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率半导体市场的发展。这两种材料的半导体器件在电力电子领域具有很高的潜力，因为它们能提供比传统硅器件更高的效率和更好的热性能。预计在2021年，这两个市场的总收入将超过10亿美元，并在未来十年内保持两位数的增长速度。 英飞凌通过在华投资和扩大IGBT产能，积极参与并推动新能源汽车和绿色能源产业的发展，同时，氮化镓和碳化硅功率半导体的崛起预示着电力电子技术的革新，这些都将对未来的能源系统产生深远影响。