量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器(英文).pdf

标题中的“量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器”指的是在半导体技术领域中，一种采用量子阱混杂技术（Quantum-Well Intermixing，QWI）实现的单片集成宽波段可调谐激光器（Widely Tunable Laser）和半导体光放大器（Semiconductor Optical Amplifier, SOA）。这种技术是半导体光电子器件发展的重要方向，特别是在光纤通信和光网络系统中具有广泛的应用。 量子阱混杂是一种用于改变量子阱结构的工艺，通过掺杂或离子注入等方法，使得量子阱内的能级发生变化，从而调整激光器的工作波长。这种技术的优势在于能够实现器件的波长调谐范围大，且可以与半导体光放大器在同一衬底上单片集成，提高了系统的紧凑性和稳定性。 论文摘要中提到，首次在中国大陆采用量子阱混杂技术成功地制造了一种单片集成的SG-DBR激光器和SOA。SG-DBR（Selectable Gain Distributed Bragg Reflector）激光器是一种特殊的分布式布拉格反射器激光器，它具有选择性增益特性，可以通过改变增益分布来调整输出波长。该激光器的波长调谐范围达到33纳米，输出功率最高可达10毫瓦，在50毫安的SOA电流下工作。同时，设备在可用信道上的边模抑制比（Side Mode Suppression Ratio, SMSR）超过35分贝，显示了良好的光谱纯度。 关键词包括可调谐激光器、电子吸收补偿（Electroabsorption Modulator, EA modulator）、半导体光学放大器、离子植入以及量子阱混杂。这些关键词揭示了论文关注的核心技术和关键组件。 半导体光学放大器（SOA）是光纤通信系统中的重要组成部分，它可以提高信号的功率并补偿传输过程中的损耗。通过将激光器与SOA单片集成，可以实现更高效的光信号处理，同时减少系统体积和成本。 文档分类号TN3651表明这是关于半导体科学技术领域的文章，而文章代码AA则可能表示其在学术期刊中的特定标识。 这篇论文探讨的是利用量子阱混杂技术实现的单片集成宽可调谐激光器和半导体光放大器，该技术对于构建未来可重构光网络系统，提高网络容量分配的灵活性和降低成本具有重要意义。这种技术的进步也为半导体光电子器件的设计和制造开辟了新的途径。