一维半导体器件数值模拟的沿特征线的有限体积元方法(英文).pdf

标题中的"一维半导体器件数值模拟的沿特征线的有限体积元方法"指的是在半导体器件建模和仿真领域中，采用一种特定的数值计算方法——沿特征线的有限体积元方法，来解决一维半导体器件的电学特性问题。这种方法结合了有限体积元法和特征线方法，适用于处理涉及半导体器件内部电荷分布、电流流动等问题。 描述中的英文标题与标签进一步明确了主题，涉及到的关键词包括“半导体”、“导体技术”、“导体研究”以及“参考文献”和“专业指导”，这表明该文章可能是一个学术研究，提供了关于一维半导体器件模拟的详细计算方法，并可能引用了相关的参考资料，为相关领域的专业人士提供指导。 文章部分内容提到了方程(1)、(2)和(3)，它们是描述半导体器件物理特性的基本方程。方程(1)是静电势方程，(2)和(3)通常分别代表载流子(电子和空穴)的连续性方程，用于描述电荷密度随时间和空间的变化。这些方程是半导体器件分析的核心，用于确定器件内部的电场、电荷分布和电流密度。 文章作者采用了全隐式欧拉特征线有限体积元方案，这是一种时间步进的数值求解方法，通过不同的时间步长处理静电势和其他未知量，以确保计算过程的稳定性和效率。他们还证明了这种方法在一阶精度下的收敛性，并通过数值实验验证了理论结果的正确性和方法的有效性。 这篇论文探讨了一种结合有限体积元法和特征线方法的数值模拟技术，用于解决一维半导体器件的电学建模问题。该方法不仅具有理论上的准确性，还在实际应用中表现出高效性能，为半导体器件的设计和优化提供了有力的工具。