富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM.pdf

富士通半导体宣布推出了一款基于0.18微米技术的新一代SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A三个型号。这些器件融合了SRAM的高速写入能力和闪存的非易失性特点，为各种应用提供了理想的存储解决方案。 SPI FRAM是一种铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory），它的特点是写入速度快，且数据在断电后仍能保持。新型SPI FRAM家族的三个成员分别提供256Kbit、128Kbit和64Kbit的存储密度，工作电压范围在3.0V到3.6V之间，读写周期高达100兆次，数据在55°C环境下可以保持10年以上。此外，这些芯片的工作频率最高可达25MHz，特别适合低功耗应用，因为它们在写入时无需额外的电压增强器。8引脚封装设计与标准EEPROM芯片兼容，方便集成到现有系统中。 富士通的SPI FRAM产品采用了独特的技术，如SuVolta的PowerShrink平台，该平台通过DeeplY Depleted Channel (DDC) CMOS晶体管技术降低了IC功耗，使得供应电压下降30%以上，动态功耗减少一半以上，同时保持性能并显著降低了漏电功耗。DDC晶体管的创新在于其独特的信道结构，能够通过降低临界电压变化至50%，使得VDD降低超过30%的同时，保持相同的系统频率速度并降低整体漏电。此外，通过增加通道迁移率和基体系数，DDC晶体管可以更有效地管理临界电压，提高驱动电流。 富士通的这些新产品适用于多种领域，包括自动化应用、需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。由于其非易失性和低功耗特性，它们可以替代电池支持的解决方案，并且在环保方面表现出色，没有电池消耗的问题。富士通半导体致力于技术创新和制造工艺的优化，确保产品品质，并计划进一步扩展FRAM产品组合以满足市场需求。 富士通的0.18μm SPI FRAM产品是半导体存储领域的突破，结合了高性能和低功耗，为工业、汽车、物联网等领域的嵌入式系统设计提供了极具吸引力的选择。