存储/缓存技术中的富士通半导体开发出全新FRAM器件MB85RC1MT

导读：日前，富士通半导体（上海）有限公司开发出一款全新FRAM器件MB85RC1MT.此器件拥有1Mb内存，是富士通半导体所有I2C串行接口产品中最高内存容量的产品。 　　据悉，MB85RC1MT拥有128K字符X8位的1Mb内存，可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作，可支持3.4MHz的“高速”操作模式，并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。其一万亿次写入/擦除周期可满足需要经常重复写入数据之应用，如：工厂自动化控制、测验仪器及工业设备等领域。而FRAM是一种兼具非挥发性与随机存取功能的存储器，能在没有电源的情况下可储存及高速写入数据。