### REDW资料：辐射效应数据工作坊概览与关键技术点
#### 核心知识点解析：
**1. QML Qualified 256K Radiation-Hardened CMOS SRAM**
- **作者**: R. Brown, J. Damato, N. Haddad, B. Posey, T. Scott, S. Murrill, J. Groseth, and S. McGregor
- **摘要**: 此研究介绍了256K辐射硬化CMOS静态随机存取存储器(SRAM)的设计与特性，适用于高辐射环境下的稳定运行。该存储器通过严格的QML（Qualification and Management List）认证标准，确保其在极端条件下的可靠性。
**2. Ionizing Radiation Effects on Commercial 256K EEPROMs**
- **作者**: M. E. Bumbaugh and D. S. Rosario
- **摘要**: 本章节探讨了商业256K电可擦可编程只读存储器(EEPROM)在电离辐射下的行为变化。研究揭示了不同辐射剂量对EEPROM数据保存能力和操作性能的影响，为设计抗辐射电子设备提供了关键数据。
**3. Heavy Ion Testing Using the GANIL Accelerator and Compilation of Results with Predictions**
- **作者**: C. Dufour, P. Garnier, J. Beaucour, and H. Delagrange
- **摘要**: 使用GANIL加速器进行重离子测试，以评估电子元件在高能粒子轰击下的响应。研究汇总了测试结果，并与预测模型进行比较，为未来电子设备的抗辐射设计提供理论依据和实验验证。
**4. Heavy Ion Test Results on Memories**
- **作者**: R. Ecoffet, M. Labrunee, S. Duzellier, and D. Falguere
- **摘要**: 详细报告了不同类型的内存单元在重离子辐射下的测试结果。分析了辐射导致的单事件效应(SEEs)，如单事件翻转(SEF)和单事件锁死(SEL)，以及这些效应对存储器性能的影响。
**5. Radiation Pre-Screening of R3000/R3000A Microprocessors**
- **作者**: R. Harboe-Sorensen and A. T. Sund
- **摘要**: 介绍了一种针对R3000/R3000A微处理器的辐射预筛选方法，用于评估其在辐射环境中的可靠性和稳定性。研究关注了微处理器在高剂量辐射下的行为特征，以及如何选择适合太空和其他高辐射环境应用的组件。
**6. Radiation Characterization of a Monolithic Nuclear Event Detector**
- **作者**: G. L. Hash, J. R. Schwank, M. R. Shanyfelt, K. L. Hughes, M. P. Connors, J. W. Swonger, N. W. van Vonno, and R. L. Martin
- **摘要**: 对一种集成化的核事件探测器进行了全面的辐射特性分析。研究探讨了探测器在不同辐射源下的响应能力，以及如何优化设计以提高其在复杂辐射环境下的检测效率和稳定性。
**7. Summary of Recent VLSI EU and Latch-Up Testing**
- **作者**: J. D. Kinnison and R. H. Maurer
- **摘要**: 总结了近期在超大规模集成电路(VLSI)上的单事件效应(SEU)和闩锁效应(latch-up)测试进展。研究强调了在设计抗辐射电路时识别和缓解SEU和闩锁风险的重要性。
**8. SEU Test of 80386 Based Flight Computer/Data Handling System and of Discrete PROM and EEPROM Devices, and SEL Tests of Discrete 80386, 80387, PROM, EEPROM, and ASICs**
- **作者**: K. LaBel, E. G. Stassinopoulos, G. J. Brucker, and C. A. Stauffer
- **摘要**: 对基于80386的飞行计算机/数据处理系统进行了单事件效应测试，同时评估了独立PROM、EEPROM设备以及分离的80386、80387、PROM、EEPROM和ASICs的单事件锁定效果。研究旨在验证这些组件在航天等高辐射环境下的可靠性和鲁棒性。
**9. Total Ionizing Dose Radiation Characterization of the Natel HSRD1056RH Resolver-to-Digital Converter Hybrid**
- **作者**: C. I. Lee, R. E. Hill, and K. Nies
- **摘要**: 分析了Natel HSRD1056RH解析器到数字转换器混合模块在总电离剂量(TID)辐射环境下的性能。研究重点是评估TID对信号处理和转换精度的影响，以及如何改进设计以增强抗辐射能力。
**10. Radiation Design Test Data for Advanced CMOS Product**
- **作者**: M. C. Maher
- **摘要**: 提供了高级互补金属氧化物半导体(CMOS)产品在设计阶段的辐射测试数据。这些数据对于理解CMOS技术在不同辐射强度和类型下的表现至关重要，有助于优化产品设计，确保在恶劣环境下的功能完整性。
**11. 1-m CMOS Gate Array Radiation Hardened Technology**
- **作者**: H. Owens, A. Yee, S. Toutounchi, M. Lyu, W. C. Schneider, and A. R. Dantas
- **摘要**: 描述了一种1微米CMOS门阵列的辐射硬化技术，旨在提高电路在辐射环境下的生存率。研究探讨了材料选择、布局设计和制造工艺方面的创新，以增强器件的抗辐射能力。
**12. Low Dose Rate Radiation Testing of Advanced CMOS Technology (AC/ACT) Series Parts for Space Flight Applications**
- **作者**: K. Sharma and K. Sahu
- **摘要**: 针对太空飞行应用，对先进的CMOS技术(AC/ACT)系列组件进行了低剂量率辐射测试。研究分析了低剂量率辐射对电路性能的长期影响，为太空任务中的电子设备选型和可靠性评估提供了参考。
**13. SEU Testing of 32-Bit Microprocessors**
- **作者**: R. Velazco, S. Karoui, and T. Chapuis
- **摘要**: 对32位微处理器进行了单事件效应测试，以评估其在高能粒子辐射下的稳定性和数据完整性。研究重点关注了SEU对微处理器指令执行、内存管理和数据路径的影响，以及如何设计有效的错误检测和纠正机制。
以上概述了1992年至2008年REDW资料中所涵盖的关键研究主题和发现，涉及辐射硬化设计、材料科学、电路设计、测试方法和性能评估等多个领域，为开发能够在高辐射环境中可靠运行的电子设备提供了宝贵的技术指导和数据支持。
