AON2408 产品规格书pdf

根据给定的"AON2408 产品规格书pdf"文档内容，我们可以总结出以下相关的IT知识要点： ### 一、AON2408 概述 **AON2408**是一款20V、8A、2.8W的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的导通电阻RDS(ON)。这一特性使得该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用场合。 ### 二、关键参数详解 #### 1. **绝对最大额定值** - **排水源电压** (VDS): 最大为20V。 - **连续漏极电流** (ID): 在环境温度TA=25°C下最大为8A。 - **功率耗散** (PD): 在TA=100°C时最大为2.8W。 - **脉冲漏极电流** (CPD): 最大为6A。 - **工作结温范围** (TJ, TS): -55°C至150°C。 - **栅源电压** (VGS): 最大为±12V。 这些参数定义了AON2408正常工作条件下的边界，超过了这些界限可能会导致器件损坏。 #### 2. **电气特性** - **导通电阻** (RDS(ON)): 在VGS=4.5V时，RDS(ON) < 14.5mΩ；在VGS=2.5V时，RDS(ON) < 19mΩ。 - **漏源击穿电压** (BVDSS): 在VDS=20V、VGS=0V时，BVDSS为20V。 - **零门电压漏极电流** (IDSS): 当VGS=0V、VDS=10V且频率f=1MHz时，IDSS小于5mA。 - **输入电容** (Ciss): 782pF。 - **输出电容** (Coss): 158pF。 - **反向传输电容** (Crss): 98pF。 - **总栅极电荷** (Qg): 7nC。 - **栅极源电荷** (Qgs): 1nC。 - **栅极漏电荷** (Qgd): 2.4nC。 - **栅源开启阈值电压** (VGS(th)): 0.5至1.2V之间。 - **栅体泄漏电流** (IGSS): ±100nA。 这些电气特性描述了AON2408在不同工作条件下的行为特征。 #### 3. **热特性** - **最大结到环境的热阻** (RθJA): 37°C/W。 - **结温** (TJ): 工作结温范围从-55°C至150°C。 这些热特性指标对于确定器件在不同工作条件下的散热需求至关重要。 ### 三、应用场景 由于其低导通电阻和良好的热性能，AON2408非常适合用于以下几种应用场合： 1. **负载开关**: 在电源管理电路中作为开关元件，控制电源对负载的供电。 2. **电池保护**: 用于防止电池过放电或短路，保护电池免受损害。 3. **电机驱动**: 在小型电机驱动电路中作为开关元件，控制电机的启动和停止。 4. **电源转换器**: 用于DC-DC转换器中，提高转换效率。 ### 四、封装与引脚配置 AON2408采用DFN 2x2B封装，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。其顶部视图和底部视图显示了封装的外观结构。引脚配置如下： - **Pin 1**: 排列方式决定了Pin 1的位置。 - **D**: 漏极。 - **G**: 栅极。 - **S**: 源极。 ### 五、开关特性 - **开启延迟时间** (tD(on)): 3ns至28ns。 - **关闭延迟时间** (tD(off)): 28ns。 - **上升时间** (tr): 6ns至28ns。 - **下降时间** (tf): 6ns。 这些开关特性描述了AON2408在开关操作过程中的行为特征，有助于优化电路设计中的开关速度和效率。 AON2408是一款高性能的N沟道MOSFET，具备优异的电气性能和热性能，适合应用于多种电源管理和保护场景。