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BSC220N20NSFD INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
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BSC220N20NSFD INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册
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BSC220N20NSFD
Rev.2.0,2018-03-14Final Data Sheet
Pin 1
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3
2
1
5
6
7
8
TSON-8-3
8 D
7 D
6 D
5 D
S 1
S 2
S 3
G 4
MOSFET
OptiMOS
TM
3Power-Transistor,200V
Features
•N-channel,normallevel
•175°Crated
•ExcellentgatechargexR
DS(on)
product(FOM)
•Verylowon-resistanceR
DS(on)
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
ProductValidation:
Qualifiedforindustrialapplicationsaccordingtotherelevanttestsof
JEDEC47/20/22
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
200 V
R
DS(on),max
22 mΩ
I
D
52 A
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
BSC220N20NSFD TSON-8-3 220N20F -
2
OptiMOS
TM
3Power-Transistor,200V
BSC220N20NSFD
Rev.2.0,2018-03-14Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3
OptiMOS
TM
3Power-Transistor,200V
BSC220N20NSFD
Rev.2.0,2018-03-14Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
A
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current I
D
-
-
-
-
52
41
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Pulsed drain current
1)
I
D,pulse
- - 208 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse E
AS
- - 214 mJ I
D
=38A,R
GS
=25Ω
Reversediodepeakdv/dt dv/dt - - 60 kV/µs
I
D
=52A,V
DS
=100V,
di/dt=1500A/µs,T
j,max
=175°C
Gate source voltage V
GS
-20 - 20 V -
Power dissipation P
tot
- - 214 W T
C
=25°C
Operating and storage temperature T
j
,T
stg
-55 - 175 °C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/175/56
2Thermalcharacteristics
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Table3Thermalcharacteristics
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Thermal resistance, junction - case R
thJC
- 0.4 0.7 K/W -
Thermal resistance, junction - ambient,
minimal footprint
R
thJA
- - 75 K/W -
Thermal resistance, junction - ambient,
6 cm
2
cooling area
2)
R
thJA
- - 50 K/W -
1)
See Diagram 3
2)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.
PCB is vertical in still air.
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