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模拟电子技术习题集(一).pdf
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第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将 其改型为 P 型
半导体。( )
(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )
(5)结型 场效应管外加 的栅-源 电压应使 栅 -源 间的耗尽 层承受 反向电
压,才能保证其 R
GS
大的特点。( )
(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U
GS
大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )
解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程是 。
A. I
S
e
U
B.
T
UU
I e
S
C.
)1e(
S
-
T
UU
I
(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
(5)U
GS
=0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
解:(1)A ( 2) C (3)C (4)B (5)A C
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.
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三、写出图 T1.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 U
D
=0.7V。
图 T1.3
解: U
O1
≈1.3V,U
O2
=0,U
O3
≈-1.3V,U
O4
≈2V,U
O5
≈1.3V,
U
O6
≈-2V。
四、已 知 稳 压 管 的 稳 压 值 U
Z
= 6V,稳 定 电 流 的 最 小 值 I
Z m i n
= 5mA。求 图 T1.4
所示电路中 U
O1
和 U
O2
各为多少伏。
图 T1.4
解:U
O1
=6V,U
O2
=5V。
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.
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五、某晶体管的输出特性曲线如图 T1.5 所示,其集电极最大耗散功率 P
CM
=
200mW,试画出它 的过损耗区。
图 T1.5
解 图 T1.
5
解:根据 P
CM
=200mW 可得:U
CE
=40V 时 I
C
=5mA,U
CE
=30V 时 I
C
≈6.67mA,U
CE
=20V 时 I
C
=10mA,U
CE
=10V 时 I
C
=20mA,将 各点连接成
曲线,即为临界过损耗线,如解图 T1.5 所示。临界过损耗线的左边为过损耗
区。
六、电路如图 T1.6 所示,V
CC
=15V,β =100,U
BE
=0.7V。试问:
(1)R
b
=50kΩ 时,u
O
=?
(2)若 T 临界饱和,则 R
b
≈?
解 :(1)R
b
=50kΩ 时,基极电流、集
电极电流和管压降分别为
26
b
BEBB
B
R
UV
I
μ A
V2
mA6.2
CCCCCE
BC
RIVU
II
所 以 输 出 电 压 U
O
= U
C E
= 2V。
图 T1
.6
(2)设临界饱和时 U
CES
=U
BE
=0.7V,所以
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.
精选 word 范 本 !
k4.45
A6.28
mA86.2
B
BEBB
b
C
B
c
CESCC
C
I
UV
R
I
I
R
UV
I
七 . 测 得 某 放 大 电 路 中 三 个 MOS 管的三个电极的电位如表 T1.7 所示,
它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电
阻区),并填入表内。
表 T1.7
管 号 U
GS
(
th
)
/V
U
S
/V U
G
/V U
D
/V
工作状态
T
1
4
-5
1 3
T
2
-4
3 3 10
T
3
-4
6 0 5
解:因为三只管子均有开启电压,所 以 它 们 均 为 增 强 型 MOS 管。根 据 表 中 所
示 各 极 电 位 可 判 断 出 它 们 各 自 的 工 作 状 态 , 如 解 表 T1.7 所示。
解表 T1.7
管 号 U
GS
(
th
)
/V
U
S
/V U
G
/V U
D
/V
工作状态
T
1
4
-5
1 3
恒流区
T
2
-4
3 3 10
截止区
T
3
-4
6 0 5
可变电阻区
习 题
1.1 选择合适答案填入空内。
(1)在 本 征 半 导 体 中 加 入 元 素 可 形 成 N 型 半 导 体 ,加 入 元 素
可 形 成 P 型 半 导 体 。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当 I
B
从 12μ A 增大到 22μ A 时,
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I
C
从 1mA 变为 2mA,那么它的β 约为 。
A. 83 B. 91 C. 100
(4)当场效应管的漏极直流电流 I
D
从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨
导 g
m
将 。
A.增大 B.不变 C.减小
解:(1)A , C (2)A ( 3) C (4)A
1.2 能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?
解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为
1.5V 时,管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图 P1.3 所示,已知 u
i
=10sinω t(v),试画出 u
i
与 u
O
的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图 P1.3
解图 P1.3
解:u
i
和 u
o
的波形如解图 P1.3 所示。
1.4 电路如图 P1.4 所示,已知 u
i
=5sinω t (V),二极管导通电压 U
D
=
0.7V。试画出 u
i
与 u
O
的波形,并标出幅值。
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