IGBT驱动电路-2SC0435T驱动核及其接口电路保护性能测试报告(20221205)汇编.pdf

"IGBT驱动电路-2SC0435T驱动核及其接口电路保护性能测试报告" 该报告对2SC0435T驱动核及其接口电路的保护性能进行了测试。测试的目的是为了评估驱动核的去饱和检测和有源钳位保护功能，以及IGBT驱动信号的开关特性和带载能力。 知识点一：IGBT驱动电路的安全保护机制 * 去饱和检测：该机制可以检测IGBT的过载和短路情况，以避免IGBT的损坏。 * 有源钳位保护：该机制可以在IGBT过载或短路的情况下断开IGBT的电源，以避免IGBT的损坏。 知识点二：2SC0435T驱动核的特性 * 去饱和检测响应时间约为10-15μs。 * 有源钳位效果不是很理想，IGBT集电极-发射极间的电压尖峰最大值Vcemax相差约120-150VDC。 * 门极电阻分别为Rgon=3.3Ω和Rgoff=4.7Ω时，开关特性与2SP0115T2A0-17驱动板的特性相似。 知识点三：IGBT驱动信号的开关特性 * 2SC0435T驱动核的开关特性与2SP0115T2A0-17驱动板的特性相似。 * IGBT驱动信号的开关特性对IGBT的工作状态和寿命有重要影响。 知识点四：带载测试 * 2SC0435T驱动核在600A大电流带载试验中，功率模块直流母线电压脉动较大，但未出现明显的电压尖峰，最大值约为1.3kV。 * 带载测试是评估IGBT驱动电路的能力和可靠性的重要方法。 知识点五：试验条件和步骤 * 该试验使用了TE-STATCOM-D型单元控制板和单脉冲测试程序对2SC0435T驱动核进行测试。 * 试验步骤包括驱动核适配板的安装、示波器的设置、万用表的测量、PWM控制信号的下发等。 知识点六：试验结果和结论 * 试验结果表明2SC0435T驱动核可以正确实现去饱和检测和有源钳位保护功能，但去饱和检测响应时间偏大。 * 试验结论表明2SC0435T驱动核可以满足IGBT驱动电路的安全保护要求，但需要进一步优化其性能。