第一章 外延及CAD-- ----4学时<br>第二章 氧化、扩散及离子注入-8学时<br>第三章 光刻---------4学时<br>第四章 刻蚀---------2学时<br>第五章 金属化、封装与可靠性-2学时<br>第六章 N阱CMOS工艺流程--2学时<br>第七章 硅器件制造的关键工艺-4学时
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