三代半导体材料和器件应用于清洁能领域如光伏、风电等，以及提
升能使用效率领域如流特高压输电、新能汽车、轨道交通等，
将对实现“碳达峰、碳和”起到关要的用。
此背景下，我国第三代半导体产业持续稳定发。技术方面，
研发能力步提升，量产技术渐成熟。国际 SiC 商业化衬底以 6 英
寸为，步向 8 英寸过渡；国内 SiC 商业化衬底以 4 英寸为，
步向 6 英寸过渡；国内外 SiC 基 GaN 外延片流尺寸为 4 英寸，并
步向 6 英寸发；Si 基 GaN 外延片流尺寸为 6 英寸，并步向
8 英寸发。SiC MOSFET 产品相继推出，车规级成为关焦点，多
家企业推出符合 AEC-Q101 标的 SiC、GaN 量产产品。GaN 电力电
器件实现 650V 产品量产能力，要应用于 PD 快充。商业化 GaN
射频器件供应上量，下游应用市场快速开启。黄光 LED 芯片发光效
率达到 27.9%，世界领先；UVA 波段外 LED 已有成熟的商业化产
品并能满应用的需求，外量效率已超过 40%；UVC 波段深外
LED 产品的外量效率 5%。Mini/Micro-LED 技术取得了较快速的
进，Mini-LED 背光产品密集发布，规模商业化应用已经开启；Micro-
LED 巨量移效率不断提升，多家厂商出样机。产业方面，国际
要企业大力完善产业布局，通过调业务领域、合并购等方式，树
立市场优势地位；国内企业强化布局，第三代半导体产业进入扩期；
产线陆续开通，大尺寸晶渐成流；产能进一步长，供给仍然不
。市场方面，SiC 功率器件价格持续下降，与 Si 器件价差进一步缩
小；新能汽车成为市场的要拉动力，上下游合趋势日益明显，
